Выпуски

 / 

1973

 / 

Декабрь

  

Обзоры актуальных проблем


Флуктуонные состояния электронов

Содержание: Введение. Примеры флуктуонных состояний в различных системах. Основные уравнения. Флуктуоны в идеальных растворах и в идеальных парамагнетиках. Флуктуонные состояния электронов в идеальных растворах. Особенности флуктуонных состояний в идеальных системах. Флуктуоны в идеальных парамагнетиках. Роль прямого взаимодействия. Флуктуоны в ферромагнетиках. Влияние прямого взаимодействия между спинами на образование флуктуонов в магнитных полупроводниках. Фазоны. Роль прямого взаимодействия в растворах. Флуктуоны вблизи критических точек и точек фазового перехода второго рода. Кинетические характеристики флуктуонов. Подвижность флуктуонов. Эффективная масса флуктуонов. Флуктуонные состояния электронных примесных центров и экситонов. Самопроизвольное диспергирование в системах с внутренними параметрами. Влияние флуктуонов на свойства полупроводников. Равновесная концентрация флуктуонов, электропроводность и термоэлектродвижущая сила. Влияние флуктуонов на фазовые превращения. Влияние флуктуонов на магнитные свойства полупроводников. Взаимодействие флуктуонов с электромагнитным излучением. Цитированная литература.

Текст pdf (2,8 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1974v016n06ABEH004095
PACS: 75.30.Kz, 75.50.Pp, 75.40.Gb, 72.20.Pa, 71.35.−y (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0111.197312b.0617
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1973/12/b/
Цитата: Кривоглаз М А "Флуктуонные состояния электронов" УФН 111 617–654 (1973)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Krivoglaz M A “Fluctuon states of electronsSov. Phys. Usp. 16 856–877 (1974); DOI: 10.1070/PU1974v016n06ABEH004095

Статьи, ссылающиеся на эту (129) Похожие статьи (20) ↓

  1. И.М. Лифшиц «О структуре энергетического спектра и квантовых состояниях неупорядоченных конденсированных систем» УФН 83 617–663 (1964)
  2. Э.Л. Нагаев «Ферромагнитные и антиферромагнитные полупроводники» УФН 117 437–492 (1975)
  3. М.Ю. Каган, К.И. Кугель «Неоднородные зарядовые состояния и фазовое расслоение в манганитах» УФН 171 577–596 (2001)
  4. Э.Л. Нагаев «Разделение фаз в высокотемпературных сверхпроводниках и родственных им магнитных материалах» УФН 165 529–554 (1995)
  5. М.И. Клингер «Автолокализованные состояния электронов и дырок» УФН 146 105–142 (1985)
  6. И.Б. Левинсон, Э.И. Рашба «Пороговые явления и связанные состояния в поляронной проблеме» УФН 111 683–718 (1973)
  7. В.Б. Шикин «Подвижность зарядов в жидком, твердом и плотном газообразном гелии» УФН 121 457–497 (1977)
  8. Ю.А. Изюмов, Ю.Н. Скрябин «Модель двойного обмена и уникальные свойства манганитов» УФН 171 121–148 (2001)
  9. Д.Н. Зубарев «Двухвременные функции Грина в статистической физике» УФН 71 71–116 (1960)
  10. Э.Л. Нагаев «Манганиты лантана и другие магнитные проводники с гигантским магнитосопротивлением» УФН 166 833–858 (1996)
  11. А.Г. Храпак, И.Т. Якубов «Электроны и позитроны в плотных газах» УФН 129 45–86 (1979)
  12. К.Н. Алексеев, Г.П. Берман и др. «Динамический хаос в магнитных системах» УФН 162 (7) 81–118 (1992)
  13. С.В. Демишев «Спин-флуктуационные переходы» УФН 194 23–47 (2024)
  14. П.С. Зырянов, Г.И. Гусева «Квантовая теория термомагнитных явлений в металлах и полупроводниках» УФН 95 565–612 (1968)
  15. И.И. Ляпилин, И.М. Цидильковский «Узкощелевые полумагнитные полупроводники» УФН 146 35–72 (1985)
  16. М.И. Клингер «Низкотемпературные свойства и локализованные электронные состояния стекол» УФН 152 623–652 (1987)
  17. В.Ф. Коваленко, Э.Л. Нагаев «Фотоиндуцированный магнетизм» УФН 148 561–602 (1986)
  18. К.И. Кугель, Д.И. Хомский «Эффект Яна — Теллера и магнетизм: соединения переходных металлов» УФН 136 621–664 (1982)
  19. Н.Б. Иванова, С.Г. Овчинников и др. «Особенности спинового, зарядового и орбитального упорядочений в кобальтитах» УФН 179 837–860 (2009)
  20. А.Ф. Андреев «Диффузия в квантовых кристаллах» УФН 118 251–271 (1976)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение