Выпуски

 / 

1968

 / 

Сентябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Квантовые размерные эффекты в полупроводниковых и полуметаллических пленках

СОДЕРЖАНИЕ
I. ВВЕДЕНИЕ. УСЛОВИЯ СУЩЕСТВОВАНИЯ КВАНТОВЫХ РАЗМЕРНЫХ ЭФФЕКТОВ В ПЛЕНКАХ
II. СПЕЦИФИКА СОСТОЯНИЙ ЭЛЕКТРОНОВ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ
1. Энергетический спектр в пленках
2. Плотность состояний
3. Концентрация носителей и уровень Ферми
4. О возможности экспериментального определения дискретных уровней энергии Εs в опытах по туннелированию
III. ВЛИЯНИЕ КВАНТОВАНИЯ ПОПЕРЕЧНОГО ДВИЖЕНИЯ НОСИТЕЛЕЙ НА ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТОНКИХ ПЛЕНОК
1. Время релаксации и подвижность носителей в пленке
2. Сравнение с экспериментом
IV. ТОНКИЕ ПОЛУМЕТАЛЛИЧЕСКИЕ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ В МАГНИТНОМ ПОЛЕ
1. Осцилляции магнитной восприимчивости в тонкой пленке
2. Гальваномагнитные явления в тонких пленках
3. Сравнение с экспериментом
V. ТЕМПЕРАТУРА ПЕРЕХОДА В СВЕРХПРОВОДЯЩЕЕ СОСТОЯНИЕ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ С КВАЗИДИСКРЕТНЫМ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИМ СПЕКТРОМ
1. Случай заселения одной подзоны
2. Случай пленки металла
ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА

Текст pdf (1,9 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1969v011n05ABEH003739
PACS: 73.50.Mx, 73.61.−r, 73.50.Gr (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0096.196809d.0061
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1968/9/d/
Цитата: Тавгер Б А, Демиховский В Я "Квантовые размерные эффекты в полупроводниковых и полуметаллических пленках" УФН 96 61–86 (1968)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Tavger B A, Demikhovskii V Ya “Quantum size effects in semiconducting and semimetallic filmsSov. Phys. Usp. 11 644–658 (1969); DOI: 10.1070/PU1969v011n05ABEH003739

Статьи, ссылающиеся на эту (159) Похожие статьи (20) ↓

  1. Л.А. Фальковский «Физические свойства висмута» УФН 94 3–41 (1968)
  2. А.Ф. Андреев «Взаимодействие проводящих электронов с поверхностью металла» УФН 105 113–124 (1971)
  3. Э.И. Рашба, З.С. Грибников, В.Я. Кравченко «Анизотропные размерные эффекты в полупроводниках и полуметаллах» УФН 119 3–47 (1976)
  4. Б.П. Захарченя, Д.Н. Мирлин и др. «Спектр и поляризация фотолюминесценции горячих электронов в полупроводниках» УФН 136 459–499 (1982)
  5. М.С. Хайкин «Магнитные поверхностные уровни» УФН 96 409–440 (1968)
  6. И.М. Лифшиц, М.И. Каганов «Некоторые вопросы электронной теории металлов II. Статистическая механика и термодинамика электронов в металлах» УФН 78 411–461 (1962)
  7. Б.Т. Гейликман «Адиабатическая теория возмущений для металлов и проблема устойчивости решетки» УФН 115 403–426 (1975)
  8. И.М. Лифшиц, М.И. Каганов «Некоторые вопросы электронной теории металлов. 1. Классическая и квантовая механика электронов в металлах» УФН 69 419–458 (1959)
  9. И.С. Осадько «Мерцающая флуоресценция одиночных полупроводниковых нанокристаллов: основные экспериментальные факты и теоретические модели мерцания» УФН 186 489–502 (2016)
  10. В.Д. Кулаковский, В.Г. Лысенко, В.Б. Тимофеев «Экситонные молекулы в полупроводниках» УФН 147 3–47 (1985)
  11. В.И. Бредихин, М.Д. Галанин, В.Н. Генкин «Двухфотонное поглощение и спектроскопия» УФН 110 3–43 (1973)
  12. В.И. Белиничер, Б.И. Стурман «Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии» УФН 130 415–458 (1980)
  13. В.С. Эдельман «Левитирующие электроны» УФН 130 675–706 (1980)
  14. Ю.П. Гайдуков «Электронные свойства вискеров» УФН 142 571–597 (1984)
  15. В.И. Кайданов, Ю.И. Равич «Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI» УФН 145 51–86 (1985)
  16. А.П. Силин «Полупроводниковые сверхрешетки» УФН 147 485–521 (1985)
  17. И.И. Ляпилин, И.М. Цидильковский «Узкощелевые полумагнитные полупроводники» УФН 146 35–72 (1985)
  18. М.В. Дурнев, М.М. Глазов «Экситоны и трионы в двумерных полупроводниках на основе дихалькогенидов переходных металлов» УФН 188 913–934 (2018)
  19. Н.Д. Моргулис «Преобразование тепловой энергии в электрическую с помощью термоэлектронной эмиссии» УФН 70 679–692 (1960)
  20. К.П. Белов, Е.П. Свирина «Эффект Холла в ферритах» УФН 96 21–38 (1968)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение