Мерцающая флуоресценция одиночных полупроводниковых нанокристаллов: основные экспериментальные факты и теоретические модели мерцания
И.С. Осадько
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
Обсуждается соответствие разных теоретических моделей мерцания флуоресценции одиночных полупроводниковых нанокристаллов (НК), состоящих из ядра и оболочки, новым экспериментальным фактам. Особенно детально рассматриваются две альтернативные модели: зарядовая модель и модель рекомбинационных центров. Проанализированы их достоинства и недостатки. Излагается также предложенная недавно комбинированная модель, объединяющая сильные стороны как зарядовой модели, так и модели рекомбинационных центров и предлагающая объяснение обнаруженного недавно факта существования НК типа А и В, которые различаются наличием или отсутствием корреляции между квантовым выходом флуоресценции одиночного НК и временем затухания его флуоресценции. Показано, что оже-нейтрализация ядра НК приводит к антикорреляции длительности тёмного (off) интервала и интенсивности "серой" флуоресценции, излучаемой в off-интервале. Показано также, что величина показателя степени в законе t−m, описывающем распределение светлых (on) и off-интервалов в флуоресценции одиночного НК, характеризует степень концентрации ловушек и локализованных возбуждений ядра НК на интерфейсе между ядром и оболочкой НК.
|