Issues

 / 

1983

 / 

February

  

From the current literature


Trap trajectories and the cutoff of dissipative effects in semiconductors

Text can be downloaded in Russian. English translation is available here.
PACS: 72.20.Jv, 72.20.My, 72.20.Dp (all)
DOI: 10.1070/PU1983v026n02ABEH004324
URL: https://ufn.ru/en/articles/1983/2/e/
Citation: Levinson I B "Trap trajectories and the cutoff of dissipative effects in semiconductors" Sov. Phys. Usp. 26 176–181 (1983)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Оригинал: Левинсон И Б «Траектории-ловушки и срыв диссипативных эффектов в полупроводниках» УФН 139 347–355 (1983); DOI: 10.3367/UFNr.0139.198302f.0347

© 1918–2019 Uspekhi Fizicheskikh Nauk
Email: ufn@ufn.ru Editorial office contacts About the journal Terms and conditions