Issues

 / 

1974

 / 

June

  

Reviews of topical problems


Density of states and interband absorption of light in strongly doped semiconductors

Text can be downloaded in Russian. English translation is available here.
PACS: 71.20.Nr, 78.20.Ci, 71.18.+y (all)
DOI: 10.1070/PU1974v016n06ABEH004090
URL: https://ufn.ru/en/articles/1974/6/c/
Citation: Efros A L "Density of states and interband absorption of light in strongly doped semiconductors" Sov. Phys. Usp. 16 789–805 (1974)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS) MedlineRefWorks
PT Journal Article
TI Density of states and interband absorption of light in strongly doped semiconductors
AU Efros A L
FAU Efros AL
DP 10 Jun, 1974
TA Phys. Usp.
VI 16
IP 6
PG 789-805
RX 10.1070/PU1974v016n06ABEH004090
URL https://ufn.ru/en/articles/1974/6/c/
SO Phys. Usp. 1974 Jun 10;16(6):789-805

Оригинал: Эфрос А Л «Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках» УФН 111 451–482 (1973); DOI: 10.3367/UFNr.0111.197311c.0451

© 1918–2019 Uspekhi Fizicheskikh Nauk
Email: ufn@ufn.ru Editorial office contacts About the journal Terms and conditions