Cтатьи, принятые к публикации

Обзоры актуальных проблем


Терагерцовое зондирование топологических изоляторов: фотоэлектрические эффекты

 а,  а,  а, б
а Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
б Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

В работе представлен обзор возможностей, которые предоставляет исследование фотоэлектрических эффектов в 3D топологических изоляторах и ряде других топологически нетривиальных материалов при их возбуждении терагерцовым излучением. Показано, что в ряде случаев информация об электронных состояниях, полученная с помощью таких экспериментов, является уникальной.

Ключевые слова: терагерцовое излучение, фотоэлектрические эффекты, фотогальванический эффект, фотоэлектромагнитный эффект, фотопроводимость
DOI: 10.3367/UFNr.2023.12.039610
Цитата: Галеева А В, Казаков А С, Хохлов Д Р "Терагерцовое зондирование топологических изоляторов: фотоэлектрические эффекты" УФН, принята к публикации

Поступила: 16 октября 2023, доработана: 20 ноября 2023, 2 декабря 2023

English citation: Galeeva A V, Kazakov A S, Khokhlov D R “Terahertz probing of topological insulators: photoelectric effectsPhys. Usp., accepted; DOI: 10.3367/UFNe.2023.12.039610

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение