RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 5, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Cтатьи, принятые к публикации
Обзоры актуальных проблем


Терагерцовое зондирование топологических изоляторов: фотоэлектрические эффекты

 а,  а,  а, б
а Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
б Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

В работе представлен обзор возможностей, которые предоставляет исследование фотоэлектрических эффектов в 3D топологических изоляторах и ряде других топологически нетривиальных материалов при их возбуждении терагерцовым излучением. Показано, что в ряде случаев информация об электронных состояниях, полученная с помощью таких экспериментов, является уникальной.

Ключевые слова: терагерцовое излучение, фотоэлектрические эффекты, фотогальванический эффект, фотоэлектромагнитный эффект, фотопроводимость
DOI: 10.3367/UFNr.2023.12.039610
Цитата: Галеева А В, Казаков А С, Хохлов Д Р "Терагерцовое зондирование топологических изоляторов: фотоэлектрические эффекты" УФН, принята к публикации

Поступила: 16 октября 2023, доработана: 20 ноября 2023, 2 декабря 2023

English citation: Galeeva A V, Kazakov A S, Khokhlov D R “Terahertz probing of topological insulators: photoelectric effects” Phys. Usp., accepted; DOI: 10.3367/UFNe.2023.12.039610

Похожие статьи (20) ↓

  1. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца» 184 1033–1044 (2014)
  2. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца» 172 875–906 (2002)
  3. В.С. Антонов, В.С. Летохов, А.Н. Шибанов «Лазерная резонансная фотоионизационная спектроскопия молекул» 142 177–217 (1984)
  4. С.И. Виницкий, В.Л. Дербов и др. «Топологические фазы в квантовой механике и поляризационной оптике» 160 (6) 1–49 (1990)
  5. С.И. Веденеев «Квантовые осцилляции в трёхмерных топологических изоляторах» 187 411–429 (2017)
  6. М. Биро, М.А. Красильников и др. «Проблемы теории релятивистской плазменной СВЧ-электроники» 167 1025–1042 (1997)
  7. С.Г. Овчинников «Использование синхротронного излучения для исследования магнитных материалов» 169 869–887 (1999)
  8. В.П. Жуков, Е.В. Чулков «Фемтосекундная динамика электронов в металлах» 179 113–146 (2009)
  9. Ч.Б. Лущик, И.К. Витол, М.А. Эланго «Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах» 122 223–251 (1977)
  10. Н.Е. Кузьменко, Л.А. Кузнецова и др. «Вероятности электронных переходов и времена жизни электронно-возбужденных состоянии двухатомных молекул» 127 451–478 (1979)
  11. Ю.П. Гайдуков «Электронные свойства вискеров» 142 571–597 (1984)
  12. А.А. Пурецкий, В.В. Тяхт «Обратная электронная релаксация при многофотонном возбуждении молекул инфракрасным лазерным излучением» 157 51–84 (1989)
  13. Е.А. Гастилович «Электронно-колебательные взаимодействия в возбужденных электронных состояниях сложных молекул» 161 (7) 83–132 (1991)
  14. С.П. Новиков, А.Я. Мальцев «Топологические явления в нормальных металлах» 168 249–258 (1998)
  15. М.Б. Менский «Квантовая механика: новые эксперименты, новые приложения и новые формулировки старых вопросов» 170 631–648 (2000)
  16. Г.Н. Саркисов «Молекулярные функции распределения стабильных, метастабильных и аморфных классических моделей» 172 647–669 (2002)
  17. А.Н. Лачинов, Н.В. Воробьева «Электроника тонких слоев широкозонных полимеров» 176 1249–1266 (2006)
  18. А.М. Фридман «Предсказание и открытие новых структур в спиральных галактиках» 177 121–148 (2007)
  19. Г.А. Малыгин «Прочность и пластичность нанокристаллических материалов и наноразмерных кристаллов» 181 1129–1156 (2011)
  20. П.Б. Сорокин, Л.А. Чернозатонский «Полупроводниковые наноструктуры на основе графена» 183 113–132 (2013)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение