Теллурид кадмия-ртути и новое покoление приборов инфракрасной фотоэлектроники

В.П. Пономаренко
Государственное унитарное предприятие «НПО ’Орион» Государственный научный центр Российской Федерации (ГНЦ РФ ФГУП НПО Орион), шоссе Энтузиастов 46/2, Москва, 111123, Российская Федерация

Описаны основные результаты и этапы создания в 1969-2002 гг. полупроводниковых твердых растворов теллуридов кадмия-ртути (монокристаллов и эпитаксиальных слоев), а также фотоприемников инфракрасного диапазона на их основе (фоторезисторов и фотодиодов, в том числе матричных).

Текст pdf (708 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2003v046n06ABEH001372

PACS: 01.65.+g, 07.57.Kp, 85.60.Gz (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200306c.0649
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/6/c/
Web of Science

000185710500003
Цитата: Пономаренко В П "Теллурид кадмия-ртути и новое покoление приборов инфракрасной фотоэлектроники" УФН 173 649–665 (2003)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Cadmium mercury telluride and the new generation of photoelectronic devices
AU Ponomarenko, V. P.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 2003
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 173
IS 6
SP 649-665
UR https://ufn.ru/ru/articles/2003/6/c/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0173.200306c.0649

English citation: Ponomarenko V P “Cadmium mercury telluride and the new generation of photoelectronic devices” Phys. Usp. 46 629–644 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n06ABEH001372