Выпуски

 / 

2003

 / 

Июнь

  

Приборы и методы исследований


Теллурид кадмия-ртути и новое покoление приборов инфракрасной фотоэлектроники


Государственное унитарное предприятие «НПО ’Орион» Государственный научный центр Российской Федерации (ГНЦ РФ ФГУП НПО Орион), шоссе Энтузиастов 46/2, Москва, 111123, Российская Федерация

Описаны основные результаты и этапы создания в 1969-2002 гг. полупроводниковых твердых растворов теллуридов кадмия-ртути (монокристаллов и эпитаксиальных слоев), а также фотоприемников инфракрасного диапазона на их основе (фоторезисторов и фотодиодов, в том числе матричных).

Текст pdf (708 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2003v046n06ABEH001372
PACS: 01.65.+g, 07.57.Kp, 85.60.Gz (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200306c.0649
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/6/c/
000185710500003
Цитата: Пономаренко В П "Теллурид кадмия-ртути и новое покoление приборов инфракрасной фотоэлектроники" УФН 173 649–665 (2003)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Ponomarenko V P “Cadmium mercury telluride and the new generation of photoelectronic devicesPhys. Usp. 46 629–644 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n06ABEH001372

Список литературы (57) Статьи, ссылающиеся на эту (30) ↓ Похожие статьи (10)

  1. Kamantsev A P, Amirov A A et al Phys. Metals Metallogr. 124 1075 (2023)
  2. Dvoretsky S A, Vasiliev V V et al Handbook of II-VI Semiconductor-Based Sensors and Radiation Detectors Chapter 15 (2023) p. 423
  3. Kamantsev A P, Koledov V V et al Phys. Metals Metallogr. 123 419 (2022)
  4. Kislitsyn S A, Berdnikov V S J. Phys.: Conf. Ser. 2119 012084 (2021)
  5. Kazantsev D V, Kazantseva E A Instrum Exp Tech 63 133 (2020)
  6. Guselnikova O O, Kislitsyn SA et al J. Phys.: Conf. Ser. 1382 012109 (2019)
  7. Paramonov V V, Novikova O V, Kosushkin V G Izv. vysš. učebn. zaved., Mater. èlektron. teh. 21 43 (2019)
  8. Zolotukhina O S, Arbuzov V A et al J. Phys.: Conf. Ser. 1382 012203 (2019)
  9. Talipov N Kh, Voitsekhovskii A V Russ Phys J 61 1005 (2018)
  10. Nurullaev Yu G, Barkhalov B Sh High Energy Chem 50 344 (2016)
  11. Burlakov I D, Dirochka A I et al J. Commun. Technol. Electron. 61 1166 (2016)
  12. Izhnin I I, Mynbaev K D et al Infrared Physics & Technology 73 158 (2015)
  13. Lysiuk I O, Olikh Ya M et al Ukr. J. Phys. 59 50 (2014)
  14. Kholodnov V A Semiconductors 47 66 (2013)
  15. Nurullaev Yu G, Barkhalov B S, Novruzova S K High Energy Chem 47 127 (2013)
  16. Nurullaev Yu G, Barkhalov B Sh, Novruzova S K High Energy Chem 46 266 (2012)
  17. Pociask M, Izhnin I I et al Thin Solid Films 518 3879 (2010)
  18. Burlakov I D, Demin A V et al Meas Tech 53 615 (2010)
  19. Kotkov A P, Grishnova N D et al Inorg Mater 44 1305 (2008)
  20. Pociask M, Izhnin I I et al Semiconductors 42 1413 (2008)
  21. Izhnin I I, Dvoretsky S A et al Tech. Phys. Lett. 34 981 (2008)
  22. Voitsekhovskii A V, Grigor’ev D V, Talipov N Kh Russ Phys J 51 1001 (2008)
  23. Bogoboyashchyy V V, Izhnin I I et al Semiconductors 41 804 (2007)
  24. Izhnin I I, Dvoretsky S A et al 91 (13) (2007)
  25. Mynbaev K D, Ivanov-Omskiĭ V I Semiconductors 40 1 (2006)
  26. Bogoboyashchyy V V, Izhnin I I, Mynbaev K D Semicond. Sci. Technol. 21 116 (2006)
  27. Izhnin I, Korbutyak D et al Phys. Status Solidi (c) 3 1063 (2006)
  28. Bogoboyashchyy V V, Izhnin I I et al Semicond. Sci. Technol. 21 1144 (2006)
  29. Bogoboyashchyy V V, Elizarov A I, Izhnin I I Semicond. Sci. Technol. 20 726 (2005)
  30. Izhnin I I Semicond. phys. quantum electron. optoelectron. 8 53 (2005)

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение