Как известно, под вырождением электронного газа и понимается такое состояние его, когда распределение по энергиям отличается от максвелло больцмановского, которое может рассматриваться как предельный случай распределения Ферми — Дирака. Следует, однако, отметить, что вырождение электронного газа в полупроводниках носит существенно иной характер, чем в металлах. В последних мы имеем случай очень сильного вырождения. При этом опять можно воспользоваться известным упрощением формул квантовой статистики, что значительно облегчает вычисления. В полупроводниках, как мы увидим ниже, в некоторых случаях также наступает сильное вырождение электронного газа, причём этот случай представляет большой теоретический интерес, несмотря на то, что такие полупроводники не имеют пока особого технического применения. Однако чаще всего в полупроводниках имеет место промежуточный случай, когда нельзя пользоваться ни тем, ни другим приближениями. Это требует разработки специальных методов вычислений, позволяющих рассматривать физические свойства полупроводников в этом общем случае. Ввиду важности этой проблемы в целом мы сочли целесообразным дать в настоящей статье систематическое изложение относящихся сюда вопросов.

@article{Samoilovich:1955,
	author = {А. Г. Самойлович and Л. Л. Коренблит},
	title = {Вырождение электронного газа в полупроводниках},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {1955},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {57},
	number = {12},
	pages = {577-630},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1955/12/b/},
	doi = {10.3367/UFNr.0057.195512b.0577}
}