Как известно, под вырождением электронного газа и понимается такое состояние его, когда распределение по энергиям отличается от максвелло больцмановского, которое может рассматриваться как предельный случай распределения Ферми — Дирака. Следует, однако, отметить, что вырождение электронного газа в полупроводниках носит существенно иной характер, чем в металлах. В последних мы имеем случай очень сильного вырождения. При этом опять можно воспользоваться известным упрощением формул квантовой статистики, что значительно облегчает вычисления. В полупроводниках, как мы увидим ниже, в некоторых случаях также наступает сильное вырождение электронного газа, причём этот случай представляет большой теоретический интерес, несмотря на то, что такие полупроводники не имеют пока особого технического применения. Однако чаще всего в полупроводниках имеет место промежуточный случай, когда нельзя пользоваться ни тем, ни другим приближениями. Это требует разработки специальных методов вычислений, позволяющих рассматривать физические свойства полупроводников в этом общем случае. Ввиду важности этой проблемы в целом мы сочли целесообразным дать в настоящей статье систематическое изложение относящихся сюда вопросов.

TY JOUR
TI Вырождение электронного газа в полупроводниках
AU Самойлович, А. Г.
AU Коренблит, Л. Л.
PB Успехи физических наук
PY 1955
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 57
IS 12
SP 577-630
UR https://ufn.ru/ru/articles/1955/12/b/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0057.195512b.0577