 |
RSS-ленты |
|
|||||
| Выпуск 11, 2024 |
|
||||||
|
|
|
||||||
Указатель PACS
79.60.Jv Interfaces; heterostructures; nanostructures
-
И.В. Антонова «Применение материалов на основе графенав 2D печатных технологиях» УФН 187 220–234 (2017)
68.65.Pq, 73.61.−r, 79.60.Jv () -
И.Е. Проценко, А.В. Усков «Фотоэмиссия из металлических наночастиц» УФН 182 543–554 (2012)
42.79.Pw, 79.60.Jv, 85.60.Gz, 88.40.hj () -
В.Ф. Елесин, Ю.В. Копаев «Лазер на «штарковской лестнице» с когерентной электронной подсистемой» УФН 173 776–780 (2003)
73.23.−b, 79.60.Jv () -
Е.Е. Вдовин, Ю.Н. Ханин и др. «Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (30 мая 2001 г.)» УФН 171 1365–1367 (2001)
71.24.+q, 73.40.Gk, 73.61.Ey, 73.61.Tm, 71.45.Gm, 71.55.Eq, 73.20.Mf, 73.61.−r, 85.30.Vw, 85.30.Tv, 03.75.Fi, 71.35.Lk, 71.35.Ji, 29.25.Bx, 29.27.Hj, 79.60.Jv () -
А.В. Субашиев «Эффективные эмиттеры поляризованных электронов на основе полупроводниковых наноструктур» УФН 171 1376–1379 (2001)
29.25.Bx, 29.27.Hj, 79.60.Jv () -
А.Т. Рахимов «Автоэмиссионные катоды (холодные эмиттеры) на нанокристаллических углеродных и наноалмазных пленках (физика, технология, применение)» УФН 170 996–999 (2000)
79.60.Jv, 79.70.+q, 85.45.−w, 85.60.Pg () -
З.Ф. Красильник, А.В. Новиков «Оптические свойства напряженных гетероструктур на основе Si1-xGex и Si1-x-yGexCy» УФН 170 338–341 (2000)
79.60.Jv, 85.30.Vw, 85.60.−q () -
В.М. Агранович «Экситоны и оптические нелинейности в гибридных органических-неорганических наноструктурах» УФН 169 348–348 (1999)
71.35.+z, 79.60.Jv
|
© Успехи физических наук, 1918–2024 Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение |