73.40.−c Electronic transport in interface structures
-
И.В. Антонова «Стрейнтроника двумерных неорганических материалов для электронных и оптических приложений» УФН 192 609–641 (2022)
68.60.Bs, 68.65.Pq, 72.80.Vp, 73.40.−c, 77.65.Ly (все)
-
С.А. Тарасенко «Электронные свойства топологических изоляторов. Структура краевых состояний и фотогальванические эффекты» УФН 188 1129–1134 (2018)
72.25.Dc, 73.20.−r, 73.40.−c, 73.50.Pz (все)
-
Р.Т. Сибатов, В.В. Учайкин «Дробно-дифференциальный подход к описанию дисперсионного переноса в полупроводниках» УФН 179 1079–1104 (2009)
05.40.Fb, 72.20.−i, 73.40.−c (все)
-
Н.А. Тулина «Колоссальное электросопротивление и электронная неустойчивость в структурах на основе сильнокоррелированных электронных систем» УФН 177 1231–1239 (2007)
71.10.−w, 71.27.+a, 71.30.+h, 73.40.−c, 74.62.Dh (все)
-
А.И. Жакин «Приэлектродные и переходные процессы в жидких диэлектриках» УФН 176 289–310 (2006)
73.20.−r, 73.40.−c, 82.45.−h (все)
-
С.И. Дорожкин «Фотоотклик в магнетопроводимости высокосовершенных двумерных электронных систем на облучение электромагнитными волнами миллиметрового диапазона» УФН 175 213–218 (2005)
72.20.−i, 73.40.−c, 73.43.Qt (все)
-
Е.Л. Шангина, В.Т. Долгополов «Квантовые фазовые переходы в двумерных системах» УФН 173 801–812 (2003)
73.40.−c, 73.43.Nq, 74.78.Dh (все)
-
В.П. Кочерешко, Р.А. Сурис, Д.Г. Яковлев «Эффекты экситон-электронного вращения в структурах с квантовыми ямами, содержащими двумерный электронный газ» УФН 170 335–338 (2000)
73.20.Dx, 73.23.−b, 73.25.+i, 73.40.−c (все)
-
М.В. Фейгельман «Квантовый бит на основе джозефсоновского контакта обычного и высокотемпературного сверхпроводников (теория)» УФН 169 917–919 (1999)
03.67.Lx, 73.23.Hk, 73.40.−c, 85.25.Cp (все)
-
В.В. Рязанов «Джозефсоновский π-контакт сверхпроводник-ферромагнетик-сверхпроводник как элемент квантового бита (эксперимент)» УФН 169 920–922 (1999)
03.67.Lx, 73.23.Hk, 73.40.−c, 85.25.Cp (все)
-
А.С. Борухович «Особенности квантового туннелирования в мультислоях и гетероструктурах, содержащих ферромагнитные полупроводники» УФН 169 737–751 (1999)
73.40.−c, 74.50.+r, 74.80.-g, 75.50.Dd (все)
-
А.Ф. Волков, В.В. Павловский «Явления фазовой когерентности в S/N/S структурах» УФН 168 205–209 (1998)
73.40.−c, 74.80.Fp
-
Б. Спивак, А. Зюзин «Взаимодействие Рудермана-Киттеля с памятью знака в неупорядоченных металлах и магнитная связь в мезоскопических слоистых системах металл/ферромагнетик» УФН 168 209–212 (1998)
73.40.−c, 74.80.Fp
-
Д.А. Иванов, М.В. Фейгельман «Кулоновские эффекты в баллистическом одноканальном S-S-S-транзисторе» УФН 168 212–216 (1998)
73.40.−c, 74.80.Fp
-
Е.С. Солдатов, В.В. Ханин и др. «Молекулярный одноэлектронный транзистор, работающий при комнатной температуре» УФН 168 217–219 (1998)
73.40.−c, 74.80.Fp
-
В.А. Крупенин, С.В. Лотхов и др. «Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов» УФН 168 219–222 (1998)
73.40.−c, 74.80.Fp
-
А.В. Шитов, П.А. Ли, Л.С. Левитов «Локализация квазичастиц в NS-структуре» УФН 168 222–226 (1998)
73.40.−c, 74.80.Fp
-
А.П. Силин «Гетероконтакты и полупроводниковые сверхрешетки» УФН 152 719–720 (1987)
01.30.Vv, 73.63.−b, 73.21.Cd, 73.40.−c (все)
|