Представлен обзор исследований эффектов электронной неустойчивости (ЭЭН) в структурах на основе сильнокоррелированных электронных систем (СКЭС), таких как высокотемпературные сверхпроводники (ВТСП) и легированные манганиты — соединения с колоссальным магнетосопротивлением (КМС). Эффект проявляется в изменении на несколько порядков резистивного состояния интерфейса нормальный металл-ВТСП или нормальный металл-легированный манганит под действием приложенного электрического поля в условии значительной токовой инжекции. Рассматриваются результаты исследования гетероконтактов на основе ВТСП и легированных манганитов. Проводится сравнение ЭЭН в гетероструктурах с эффектом влияния электрического поля на свойства СКЭС в тонких пленках и устройствах с затворами. Анализируются общие черты и различие в физике этих явлений.