Указатель PACS

72.20.−i Conductivity phenomena in semiconductors and insulators 73.40.−c Electronic transport in interface structures 73.43.Qt Magnetoresistance
  1. И.В. Антонова «Стрейнтроника двумерных неорганических материалов для электронных и оптических приложений» 192 609–641 (2022)
    68.60.Bs, 68.65.Pq, 72.80.Vp, 73.40.−c, 77.65.Ly (все)
  2. З.Д. Квон, Д.А. Козлов и др. «Топологические изоляторы на основе HgTe» 190 673–692 (2020)
    73.43.Qt, 73.63.Hs (все)
  3. С.А. Тарасенко «Электронные свойства топологических изоляторов. Структура краевых состояний и фотогальванические эффекты» 188 1129–1134 (2018)
    72.25.Dc, 73.20.−r, 73.40.−c, 73.50.Pz (все)
  4. Н.Г. Бебенин, Р.И. Зайнуллина, В.В. Устинов «Манганиты с колоссальным магнетосопротивлением» 188 801–820 (2018)
    72.15.Gd, 73.43.Qt, 75.47.−m, 75.47.Lx (все)
  5. Р.Т. Сибатов, В.В. Учайкин «Дробно-дифференциальный подход к описанию дисперсионного переноса в полупроводниках» 179 1079–1104 (2009)
    05.40.Fb, 72.20.−i, 73.40.−c (все)
  6. Н.А. Тулина «Колоссальное электросопротивление и электронная неустойчивость в структурах на основе сильнокоррелированных электронных систем» 177 1231–1239 (2007)
    71.10.−w, 71.27.+a, 71.30.+h, 73.40.−c, 74.62.Dh (все)
  7. А.И. Жакин «Приэлектродные и переходные процессы в жидких диэлектриках» 176 289–310 (2006)
    73.20.−r, 73.40.−c, 82.45.−h (все)
  8. В.Ф. Елесин «Явления абсолютной отрицательной проводимости в неравновесных трехмерных полупроводниках» 175 197 (2005)
    72.20.−i, 72.20.My, 72.40.+w (все)
  9. В.Ф. Гантмахер, В.Н. Зверев «Магнитопримесные резонансы как индикатор инверсной функции распределения фотоэлектронов в полупроводниках» 175 201–205 (2005)
    72.20.−i, 72.20.My, 72.40.+w (все)
  10. В.И. Рыжий «Абсолютная отрицательная проводимость, индуцированная микроволновым излучением, и состояния с нулевым сопротивлением в двумерных электронных системах: история и современное состояние» 175 205–213 (2005)
    72.20.−i, 72.20.My, 72.40.+w (все)
  11. С.И. Дорожкин «Фотоотклик в магнетопроводимости высокосовершенных двумерных электронных систем на облучение электромагнитными волнами миллиметрового диапазона» 175 213–218 (2005)
    72.20.−i, 73.40.−c, 73.43.Qt (все)
  12. Е.Л. Шангина, В.Т. Долгополов «Квантовые фазовые переходы в двумерных системах» 173 801–812 (2003)
    73.40.−c, 73.43.Nq, 74.78.Dh (все)
  13. С.С. Мурзин «Электронный транспорт в квантовом пределе по магнитному полю» 170 387–402 (2000)
    71.55.+i, 71.70.Di, 72.10.Bg, 72.20.−i (все)
  14. В.П. Кочерешко, Р.А. Сурис, Д.Г. Яковлев «Эффекты экситон-электронного вращения в структурах с квантовыми ямами, содержащими двумерный электронный газ» 170 335–338 (2000)
    73.20.Dx, 73.23.−b, 73.25.+i, 73.40.−c (все)
  15. М.В. Фейгельман «Квантовый бит на основе джозефсоновского контакта обычного и высокотемпературного сверхпроводников (теория)» 169 917–919 (1999)
    03.67.Lx, 73.23.Hk, 73.40.−c, 85.25.Cp (все)
  16. В.В. Рязанов «Джозефсоновский π-контакт сверхпроводник-ферромагнетик-сверхпроводник как элемент квантового бита (эксперимент)» 169 920–922 (1999)
    03.67.Lx, 73.23.Hk, 73.40.−c, 85.25.Cp (все)
  17. А.С. Борухович «Особенности квантового туннелирования в мультислоях и гетероструктурах, содержащих ферромагнитные полупроводники» 169 737–751 (1999)
    73.40.−c, 74.50.+r, 74.80.-g, 75.50.Dd (все)
  18. А.Ф. Волков, В.В. Павловский «Явления фазовой когерентности в S/N/S структурах» 168 205–209 (1998)
    73.40.−c, 74.80.Fp
  19. Б. Спивак, А. Зюзин «Взаимодействие Рудермана-Киттеля с памятью знака в неупорядоченных металлах и магнитная связь в мезоскопических слоистых системах металл/ферромагнетик» 168 209–212 (1998)
    73.40.−c, 74.80.Fp
  20. Д.А. Иванов, М.В. Фейгельман «Кулоновские эффекты в баллистическом одноканальном S-S-S-транзисторе» 168 212–216 (1998)
    73.40.−c, 74.80.Fp
  21. Е.С. Солдатов, В.В. Ханин и др. «Молекулярный одноэлектронный транзистор, работающий при комнатной температуре» 168 217–219 (1998)
    73.40.−c, 74.80.Fp
  22. В.А. Крупенин, С.В. Лотхов и др. «Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов» 168 219–222 (1998)
    73.40.−c, 74.80.Fp
  23. А.В. Шитов, П.А. Ли, Л.С. Левитов «Локализация квазичастиц в NS-структуре» 168 222–226 (1998)
    73.40.−c, 74.80.Fp
  24. Э.Л. Нагаев, В.В. Осипов, А.А. Самохвалов «Коллективные электрические явления в вырожденных магнитных полупроводниках с самопроизвольным разделением фаз» 166 685–687 (1996)
    72.20.−i, 75.50.Pp (все)
  25. С.Э. Есипов «Механизмы электропроводности в твердых телах» 158 750–751 (1989)
    72.20.−i, 72.15.−v (все)
  26. Ж.И. Алферов, А.С. Боровик-Романов и др. «Борис Петрович Захарченя (К шестидесятилетию со дня рождения)» 155 167–168 (1988)
    01.60.+q, 72.20.−i, 71.70.Ej, 71.35.−y (все)
  27. Б.А. Волков «Снова Энциклопедия полупроводников» 154 708–709 (1988)
    01.30.Kj, 61.72.Tt, 61.72.Vv, 72.20.−i, 61.66.Fn (все)
  28. А.П. Силин «Гетероконтакты и полупроводниковые сверхрешетки» 152 719–720 (1987)
    01.30.Vv, 73.63.−b, 73.21.Cd, 73.40.−c (все)
  29. И.А. Смирнов, В.С. Оскотский «Фазовый переход полупроводник — металл в редкоземельных полупроводниках (монохалькогениды самария)» 124 241–279 (1978)
    72.60.+g, 71.25.Tn, 72.20.−i, 78.70.En (все)
  30. М.А. Кривоглаз «Флуктуонные состояния электронов в неупорядоченных системах» 104 683–684 (1971)
    71.23.An, 65.60.+a, 64.70.−p, 75.60.Ej, 72.20.−i (все)
  31. Г.И. Дистлер «Электрическая структура кристаллов» 104 685–687 (1971)
    72.20.−i, 61.72.Ji, 81.10.Aj, 68.35.Bs (все)
  32. И.А. Аброян «Влияние ионной бомбардировки на физические свойства полупроводников» 104 15–50 (1971)
    61.80.Jh, 61.82.Fk, 72.80.−r, 72.20.−i, 78.55.−m, 61.72.Ji (все)
  33. А.Е. Глауберман, И.В. Стасюк «III совещание по теории полупроводников» 71 117–130 (1960)
    01.30.Cc, 78.20.−e, 72.20.−i (все)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение