Ирина Вениаминовна Антонова

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
Адрес: просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
Телефон: +7 (383) 333 27 66
Факс: +7 (383) 333 27 71
Вебсайт: www.isp.nsc.ru

Новосибирский государственный технический университет
Адрес: просп. Карла Маркса 20, Новосибирск, 630092, Российская Федерация
Телефон: +7 (3832) 46 50 01
Факс: +7 (3832) 46 02 09, +7 (3832) 4
Вебсайт: www.nstu.nsk.su

Статьи

И.В. Антонова, А.И. Иванов «Носимые неинвазивные сенсоры глюкозы на основе графена и других углеродных материалов» УФН 194 520–545 (2024)
И.В. Антонова «Стрейнтроника двумерных неорганических материалов для электронных и оптических приложений» УФН 192 609–641 (2022)
И.В. Антонова «Применение материалов на основе графенав 2D печатных технологиях» УФН 187 220–234 (2017)
И.В. Антонова «Современные тенденции развития технологий выращивания графена методом химического осаждения паров на медных подложках» УФН 183 1115–1122 (2013)

См. также: А.И. Иванов

PACS: 68.65.Pq, 07.07.Df, 87.19.xv, 87.85.fk, 68.60.Bs, 72.80.Vp, 73.40.-c, 77.65.Ly, 73.61.-r, 79.60.Jv, 81.05.ue, 81.15.Gh, 81.16.Be