Ю.Б. Болховитянов

Институт физики полупроводников СО РАН
Адрес: просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Статьи		Число цитирований
1	Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков «Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок» УФН 178 459–480 (2008)	231
2	Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев «Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур» УФН 171 689–715 (2001)	59

290

Ю.Б. Болховитянов: суммарное число цитирований статей, опубликованных в УФН

Статьи