Выпуск 12, 2024

Подписчикам

Для авторов

Ю.Б. Болховитянов

Институт физики полупроводников СО РАН
Адрес: просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Статьи

Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков «Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок» УФН 178 459–480 (2008)
Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев «Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур» УФН 171 689–715 (2001)

См. также: О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев

PACS: 61.72.Lk, 81.15.-z, 62.25.-g, 81.05.Cy, 81.05.Ea, 85.40.Sz, 62.25.+g, 73.40.Kp

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение