А.А. Шкляев

Институт физики полупроводников СО РАН
Адрес: просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Quantum-Phase Electronics Center, Department of Applied Physics, The University of Tokyo and Japan Science and Technology Agency, CREST
Адрес: 7-3-1 Hongo, Tokyo, 113-8656, Japan

Статьи

А.А. Шкляев, М. Ичикава «Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния» УФН 178 139–169 (2008)
А.А. Шкляев, М. Ичикава «Создание наноструктур германия и кремния с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа» УФН 176 913–930 (2006)

См. также: М. Ичикава

PACS: 78.55.Ap, 81.07.-b, 81.16.-c, 68.37.Ef, 79.70.+q, 81.16.Ta