RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 9, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2025

 / 

январь

←  →

Обзоры актуальных проблем


Проблемы гомоэпитаксиального роста алмаза методом CVD и пути их решения

†  а, б,  б,  б,  б,  б,  б,  б
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
б Частное учреждение Государственной корпорации по атомной энергии "Росатом" "Проектный центр ИТЭР", площадь ак. Курчатова д. 1, стр. 3, Москва, 123182, Российская Федерация

К настоящему моменту CVD-технология гомоэпитаксиального роста монокристаллического алмаза уже более десяти лет испытывает серьёзные трудности. Невозможна длительная морфологически устойчивая эпитаксия кристалла: по мере роста развивается рельеф поверхности, со временем неизбежно появление поликристаллов на ростовой поверхности, обрастание поликристаллической "шубой" по краям, структурное совершенство материала не достигается. Продуктивная эпитаксия на гранях {111} невозможна из-за неизбежного двойникования. Достижением считается наращивание 1—2 мм эпитаксиального материала за один сеанс на хорошо подготовленной грани, вицинальной к (001). Чтобы заметно нарастить кристалл, приходится периодически вынимать его из реактора, обрезать поликристаллическую шубу по периметру и переполировывать ростовую поверхность для нового сеанса роста. Блестящие перспективы использования CVD-алмаза пока реализуются очень слабо. Назрела необходимость преодоления этих проблем. Стало ясно, что структурное совершенство материала неразрывно связано с достижением морфологически устойчивого эпитаксиального роста. Для анализа механизма роста монокристаллического алмаза методом CVD применена модель слоевого роста. На её основе описаны такие ключевые компоненты ростовой поверхности, как источники слоевого роста, лестница ростовых ступеней. Главными причинами морфологической нестабильности слоевого роста являются: а) положительная обратная связь из-за действия пограничного диффузионного слоя с большим градиентом концентраций ростовых радикалов; б) барьер Ehrlich—Schwoebel для перемещения адатомов через край ростовой ступени. К основным проявлениям морфологической нестабильности гомоэпитаксиального роста алмаза относятся группировка ступеней (с образованием макроступеней), меандрирование ступеней, рост холмиков и курганов, образование углублений. Показано, что эти губительные явления возникают и развиваются при эпитаксии на гранях, близких к {100}. Развитие рельефа ростовой поверхности неизбежно приводит к появлению на ней двойников, т.е. к срыву эпитаксии. Постановка диагноза морфологической нестабильности эпитаксии алмаза методом CVD позволила выдвинуть предложения по её преодолению. Они включают: а) создание контролируемых источников слоевого роста; б) подготовку лестницы ростовых ступеней путём правильной полировки ростовых граней; в) выбор оптимального угла вицинальности ростовых поверхностей; г) подбор условий пересыщения для морфологически устойчивого функционирования источников слоевого роста и развития ростовых слоёв.

Текст pdf (11 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2024.06.039692
Адрес для корреспонденции:
Ключевые слова: синтетический алмаз, эпитаксия, CVD
PACS: 81.05.ug, 81.15.Aa, 81.15.Gh (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2024.06.039692
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2025/1/c/
001424253700002
2-s2.0-86000142925
2025PhyU...68....3K
Цитата: Хмельницкий Р А, Родионов Н Б, Трапезников А Г, Ярцев В П, Родионова В П, Кириченко А Н, Красильников А В "Проблемы гомоэпитаксиального роста алмаза методом CVD и пути их решения" УФН 195 3–33 (2025)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

поступила: 8 декабря 2023, доработана: 20 мая 2024, 9 июня 2024

English citation: Khmelnitsky R A, Rodionov N B, Trapeznikov A G, Yartsev V P, Rodionova V P, Kirichenko A N, Krasilnikov A V “Problems in homoepitaxial growth of diamonds using CVD method and ways to solve them” Phys. Usp. 68 3–31 (2025); DOI: 10.3367/UFNe.2024.06.039692

Список литературы (333) Статьи, ссылающиеся на эту (2) Похожие статьи (20) ↓

  1. Р.А. Хмельницкий «Перспективы выращивания монокристаллического алмаза большого размера» УФН 185 143–159 (2015)
  2. А.А. Ширяев «Алмазная фаза углерода в космосе и возможности её обнаружения спектроскопическими методами» УФН 194 600–617 (2024)
  3. Е.А. Екимов, М.В. Кондрин «Примесно-вакансионные комплексы в алмазе: перспективы синтеза и применений» УФН 187 577–598 (2017)
  4. В.С. Вавилов «Алмаз в твердотельной электронике» УФН 167 17–22 (1997)
  5. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков «Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок» УФН 178 459–480 (2008)
  6. Б.М. Смирнов «Металлические наноструктуры: от кластеров к нанокатализу и сенсорам» УФН 187 1329–1364 (2017)
  7. В.П. Будаев «Стохастическая кластеризация поверхности при интенсивном взаимодействии плазмы с материалами» УФН 196 899–937 (2026)
  8. А.А. Ионин, С.И. Кудряшов, А.А. Самохин «Абляция поверхности материалов под действием ультракоротких лазерных импульсов» УФН 187 159–172 (2017)
  9. А.И. Волокитин, Б.Н.Дж. Перссон «Радиационная передача тепла и бесконтактное трение между наноструктурами» УФН 177 921–951 (2007)
  10. А.А. Шкляев, М. Ичикава «Создание наноструктур германия и кремния с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа» УФН 176 913–930 (2006)
  11. В.Д. Кротиков, В.С. Троицкий «Радиоизлучение и природа Луны» УФН 81 589–639 (1963)
  12. С.Г. Овчинников «Изинговская сверхпроводимость» УФН 195 569–583 (2025)
  13. Д.И. Новиков, А.Г. Дорошкевич и др. «Новые горизонты исследований реликтового излучения Вселенной» УФН 195 1047–1061 (2025)
  14. Г.В. Смирнов «Когерентная флюоресценция ядер: синхротронное мёссбауэровское излучение» УФН 194 291–311 (2024)
  15. А.А. Первишко, Д.И. Юдин «Микроскопический подход к описанию спиновых моментов в двумерных анти- и ферромагнетиках Рашбы» УФН 192 233–246 (2022)
  16. Н.А. Зимбовская «Локальная геометрия поверхности Ферми и её влияние на наблюдаемые электронные характеристики нормальных металлов» УФН 181 793–826 (2011)
  17. Р.Т. Сибатов, В.В. Учайкин «Дробно-дифференциальный подход к описанию дисперсионного переноса в полупроводниках» УФН 179 1079–1104 (2009)
  18. Р.А. Андриевский «Водород в наноструктурах» УФН 177 721–735 (2007)
  19. И.В. Грехов, Г.А. Месяц «Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов» УФН 175 735–744 (2005)
  20. Р.З. Бахтизин, Ч.-Ж. Щуе и др. «Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов» УФН 174 383–405 (2004)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение