RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 3, 2025 Получить статью →
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов
Поиск →

Выпуски

 / 

2025

 / 

Январь

←  →

Обзоры актуальных проблем


Проблемы гомоэпитаксиального роста алмаза методом CVD и пути их решения

†  а, б,  б,  б,  б,  б,  б,  б
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
б Частное учреждение Государственной корпорации по атомной энергии "Росатом" "Проектный центр ИТЭР", площадь ак. Курчатова д. 1, стр. 3, Москва, 123182, Российская Федерация

К настоящему моменту CVD-технология гомоэпитаксиального роста монокристаллического алмаза уже более десяти лет испытывает серьёзные трудности. Невозможна длительная морфологически устойчивая эпитаксия кристалла: по мере роста развивается рельеф поверхности, со временем неизбежно появление поликристаллов на ростовой поверхности, обрастание поликристаллической "шубой" по краям, структурное совершенство материала не достигается. Продуктивная эпитаксия на гранях {111} невозможна из-за неизбежного двойникования. Достижением считается наращивание 1—2 мм эпитаксиального материала за один сеанс на хорошо подготовленной грани, вицинальной к (001). Чтобы заметно нарастить кристалл, приходится периодически вынимать его из реактора, обрезать поликристаллическую шубу по периметру и переполировывать ростовую поверхность для нового сеанса роста. Блестящие перспективы использования CVD-алмаза пока реализуются очень слабо. Назрела необходимость преодоления этих проблем. Стало ясно, что структурное совершенство материала неразрывно связано с достижением морфологически устойчивого эпитаксиального роста. Для анализа механизма роста монокристаллического алмаза методом CVD применена модель слоевого роста. На её основе описаны такие ключевые компоненты ростовой поверхности, как источники слоевого роста, лестница ростовых ступеней. Главными причинами морфологической нестабильности слоевого роста являются: а) положительная обратная связь из-за действия пограничного диффузионного слоя с большим градиентом концентраций ростовых радикалов; б) барьер Ehrlich—Schwoebel для перемещения адатомов через край ростовой ступени. К основным проявлениям морфологической нестабильности гомоэпитаксиального роста алмаза относятся группировка ступеней (с образованием макроступеней), меандрирование ступеней, рост холмиков и курганов, образование углублений. Показано, что эти губительные явления возникают и развиваются при эпитаксии на гранях, близких к {100}. Развитие рельефа ростовой поверхности неизбежно приводит к появлению на ней двойников, т.е. к срыву эпитаксии. Постановка диагноза морфологической нестабильности эпитаксии алмаза методом CVD позволила выдвинуть предложения по её преодолению. Они включают: а) создание контролируемых источников слоевого роста; б) подготовку лестницы ростовых ступеней путём правильной полировки ростовых граней; в) выбор оптимального угла вицинальности ростовых поверхностей; г) подбор условий пересыщения для морфологически устойчивого функционирования источников слоевого роста и развития ростовых слоёв.

Текст pdf (11 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2024.06.039692
Адрес для корреспонденции: † khmelnitskyra@lebedev.ru
Ключевые слова: синтетический алмаз, эпитаксия, CVD
PACS: 81.05.ug, 81.15.Aa, 81.15.Gh (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2024.06.039692
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2025/1/c/
2-s2.0-86000142925
2025PhyU...68....3K
Цитата: Хмельницкий Р А, Родионов Н Б, Трапезников А Г, Ярцев В П, Родионова В П, Кириченко А Н, Красильников А В "Проблемы гомоэпитаксиального роста алмаза методом CVD и пути их решения" УФН 195 3–33 (2025)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 8 декабря 2023, доработана: 20 мая 2024, 9 июня 2024

English citation: Khmelnitsky R A, Rodionov N B, Trapeznikov A G, Yartsev V P, Rodionova V P, Kirichenko A N, Krasilnikov A V “Problems in homoepitaxial growth of diamonds using CVD method and ways to solve them” Phys. Usp. 68 3–31 (2025); DOI: 10.3367/UFNe.2024.06.039692

Список литературы (333) ↓ Похожие статьи (20)

  1. DeVries R C, Badzian A, Roy R MRS Bull. 21 (2) 65 (1996)
  2. Спицын Б В, Дерягин Б В "Способ наращивания граней алмаза" Патент СССР № 339134 с приоритетом от 10.07.1956; Спицын Б В, Дерягин Б В Бюлл. изобрет. (17) 323 (1980)
  3. Eversole W G, Kenmore N Y US Patent 3030187, patented Apr. 17, 1962; https://patents.google.com/patent/US3030187A/en; Eversole W G, Kenmore N Y US Patent 3030188, patented Apr. 17, 1962; https://patents.google.com/patent/US3030188A/en
  4. Derjaguin B V et al J. Cryst. Growth 2 380 (1968)
  5. Spitsyn B V, Bouilov L L, Derjaguin B V J. Cryst. Growth 52 219 (1981)
  6. Matsumoto S et al Jpn. J. Appl. Phys. 21 L183 (1982)
  7. Angus J C Diamond Relat. Mater. 49 77 (2014)
  8. Kasu M Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 62 317 (2016)
  9. Goodwin D G J. Appl. Phys. 74 6888 (1993)
  10. Derkaoui N et al J. Phys. D 47 205201 (2014)
  11. Gicquel A et al Comprehensive Hard Materials Vol. 3 (Ed.-in-Chief V K Sarin) (Oxford: Elsevier, 2014) p. 217
  12. Scott C D et al J. Thermophys. Heat Transfer 10 426 (1996)
  13. Harris S J, Goodwin D G J. Phys. Chem. 97 23 (1993)
  14. Krasnoperov L N et al J. Phys. Chem. 97 11787 (1993)
  15. Butler J E, Woodin R L Philos. Trans. R. Soc. London A 342 209 (1993)
  16. Brinza O et al Phys. Status Solidi A 204 2847 (2007)
  17. Gracio J J, Fan Q H, Madaleno J C J. Phys. D 43 374017 (2010)
  18. Wörner E, Wild C Comprehensive Hard Materials Vol. 3 (Ed.-in-Chief V K Sarin) (Oxford: Elsevier, 2014) p. 365
  19. Haubner R ChemTexts 7 10 (2021)
  20. Bradley C E et al npj Quantum Inform. 8 122 (2022)
  21. Aharonovich I et al Adv. Mater. 24 OP54 (2012)
  22. Balmer R S et al J. Phys. Condens. Matter 21 364221 (2009)
  23. Chayahara A et al Synthesiology Engl. Ed. 3 259 (2010)
  24. Хмельницкий Р А УФН 185 143 (2015); Khmelnitskiy R A Phys. Usp. 58 134 (2015)
  25. Tallaire A et al Phys. Status Solidi A 202 2059 (2005)
  26. Tallaire A et al Diamond Relat. Mater. 14 249 (2005)
  27. Mallik A K J. Coat. Sci. Tech. 3 75 (2016)
  28. Schwander M, Partes K Diamond Relat. Mater. 20 1287 (2011)
  29. Liu J et al Diamond Relat. Mater. 46 42 (2014)
  30. Sutcu L F et al J. Appl. Phys. 71 5930 (1992)
  31. Nad S, Charris A, Asmussen J Appl. Phys. Lett. 109 162103 (2016)
  32. Eaton-Magaña S, Shigley J E Gems Gemol. 52 222 (2016)
  33. Polushin N I et al Processes 8 666 (2020)
  34. Achard J et al Phys. Status Solidi A 9 1651 (2012)
  35. Butler J E, Oleynik I Philos. Trans. R. Soc. London A 366 295 (2008)
  36. Delclos S et al Diamond Relat. Mater. 9 346 (2000)
  37. Gu Y et al Diamond Relat. Mater. 24 210 (2012)
  38. Chayahara A et al Diamond Relat. Mater. 13 1954 (2004)
  39. Zhao Y et al Cryst. Res. Technol. 53 1800055 (2018)
  40. Wu G, Chen M-H, Liao J Diamond Relat. Mater. 65 144 (2016)
  41. Nad S, Asmussen J Diamond Relat. Mater. 66 36 (2016)
  42. Charris A, Nad S, Asmussen J Diamond Relat. Mater. 76 58 (2017)
  43. Feng M et al J. Cryst. Growth 603 127011 (2023)
  44. Nad S, Gu Y, Asmussen J Diamond Relat. Mater. 60 26 (2015)
  45. Yang B et al J. Mater. Sci. 55 17072 (2020)
  46. Nagase M et al Jpn. J. Appl. Phys. 51 070202 (2012)
  47. Li F et al Crystals 7 114 (2017)
  48. Li Y et al Diamond Relat. Mater. 101 107574 (2020)
  49. Silva F et al Diamond Relat. Mater. 18 683 (2009)
  50. McCauley T S, Vohra Y K Appl. Phys. Lett. 66 1486 (1995)
  51. Chen J et al J. Cryst. Growth 484 1 (2018)
  52. Gicquel A et al J. Phys. III France 6 1167 (1996)
  53. Gicquel A et al Chem. Phys. 398 239 (2012)
  54. Derkaoui N et al J. Appl. Phys. 115 233301 (2014)
  55. Grotjohn T et al Diamond Relat. Mater. 14 288 (2005)
  56. Shu G et al J. Cryst. Growth 486 104 (2018)
  57. Hassouni K, Silva F, Gicquel A J. Phys. D 43 153001 (2010)
  58. Angus J C et al Philos. Trans. R. Soc. London A 342 195 (1993)
  59. Lombardi G et al Plasma Sources Sci. Technol. 14 440 (2005)
  60. Lombardi G et al J. Appl. Phys. 98 053303 (2005)
  61. Muchnikov A B et al Diamond Relat. Mater. 19 432 (2010)
  62. Ma Z et al Diamond Relat. Mater. 66 135 (2016)
  63. Gordon M H et al J. Appl. Phys. 89 1544 (2001)
  64. Tallaire A et al C.R. Physique 14 169 (2013)
  65. Sunagawa I Crystals. Growth, Morphology, and Perfection (Cambridge: Cambridge Univ. Press, 2005)
  66. Anthony T R Vacuum 41 1356 (1990)
  67. Wang X et al Materials 12 3953 (2019)
  68. Battaile C C et al J. Chem. Phys. 111 4291 (1999)
  69. Hei L F et al Diamond Relat. Mater. 30 77 (2012)
  70. Miyoshi K "Chemical-Vapor-Deposited Diamond Film" NASA/TM-1999-107249 (Hanover, MD: NASA Center for AeroSpace Information, 1999)
  71. Brinza O et al Phys. Status Solidi A 205 2114 (2008)
  72. Silva F et al J. Cryst. Growth 310 187 (2008)
  73. Silva F et al Diamond Relat. Mater. 17 1067 (2008)
  74. Janssen G et al J. Cryst. Growth 125 42 (1992)
  75. Snail K A et al J. Cryst. Growth 137 676 (1994)
  76. Li S et al Carbon 145 273 (2019)
  77. Хмельницкий Р А, Талипов Н Х, Чучева Г В Синтетический алмаз для электроники и оптики (М.: ИКАР, 2017)
  78. Achard J et al Diamond Relat. Mater. 16 685 (2007)
  79. Asmussen J Appl. Phys. Lett. 93 031502 (2008)
  80. Lyu J et al Surf. Eng. 35 91 (2019)
  81. van Enckevort W J P et al Surf. Coat. Technol. 47 39 (1991)
  82. Takeuchi D et al Diamond Relat. Mater. 9 231 (2000)
  83. Okushi H Diamond Relat. Mater. 10 281 (2001)
  84. Ri S-G et al J. Cryst. Growth 235 300 (2002)
  85. Bauer T et al Diamond Relat. Mater. 14 266 (2005)
  86. Bauer T et al Phys. Status Solidi A 203 3056 (2006)
  87. Miyatake H et al Diamond Relat. Mater. 16 679 (2007)
  88. Naamoun M et al Phys. Status Solidi A 210 1985 (2013)
  89. Li H Th Films and Epitaxy (Handbook of Crystal Growth, Second ed., Vol. IIIA Basic Techniques, Eds T F Kuech) (Amsterdam: Elsevier, 2015) p. 605
  90. Davies N et al J. Phys. Conf. Ser. 281 012026 (2011)
  91. Ohmagari S et al Diamond Relat. Mater. 48 19 (2014)
  92. Maida O et al Diamond Relat. Mater. 17 435 (2008)
  93. Tallaire A et al Diamond Relat. Mater. 33 71 (2013)
  94. Li Y et al Vacuum 206 111529 (2022)
  95. Schreck M et al J. Appl. Phys. 127 125102 (2020)
  96. Chatei H et al Diamond Relat. Mater. 6 505 (1997)
  97. Hassouni K et al Plasma Sources Sci. Technol. 10 61 (2001)
  98. Brinza O et al Phys. Status Solidi A 204 2847 (2007)
  99. Muchnikov A B et al Diamond Relat. Mater. 20 1225 (2011)
  100. Vikharev A M et al J. Phys. D 45 395202 (2012)
  101. Mokuno Y et al Diamond Relat. Mater. 19 128 (2010)
  102. Yamada H et al Materials Challenges and Testing for Manufacturing, Mobility, Biomedical Applications and Climate (Eds W Udomkichdecha et al) (Cham: Springer Intern. Publ., 2014) p. 97
  103. Aida H et al Diamond Relat. Mater. 75 34 (2017)
  104. Girshick S L et al Plasma Chem. Plasma Process. 13 169 (1993)
  105. Tallaire A et al Phys. Status Solidi A 208 2028 (2011)
  106. Hemawan K W, Hemley R J J. Vac. Sci. Technol. A 33 061302 (2015)
  107. Bolshakov A P et al Diamond Relat. Mater. 62 49 (2016)
  108. Yamada H, Chayahara A, Mokuno Y Diamond Relat. Mater. 87 143 (2018)
  109. Muehle M et al Diamond Relat. Mater. 79 150 (2017)
  110. Bolshakov A P et al Mater. Today Commun. 25 101635 (2020)
  111. Williams O A, Jackman R B Diamond Relat. Mater. 13 557 (2004)
  112. Issaoui R et al Phys. Status Solidi A 208 2023 (2011)
  113. Liu J et al Vacuum 155 391 (2018)
  114. Issaoui R et al Diamond Relat. Mater. 94 88 (2019)
  115. Yokota Y et al Diamond Relat. Mater. 12 295 (2003)
  116. Zhang Q et al Diamond Relat. Mater. 20 496 (2011)
  117. Belousov M E et al Chem. Vapor Deposition 18 302 (2012)
  118. Han X et al Materials 13 4510 (2020)
  119. Yamada H et al Diamond Relat. Mater. 15 1383 (2006)
  120. Liu J et al Diamond Relat. Mater. 46 42 (2014)
  121. Janssen G et al Diamond Relat. Mater. 1 789 (1992)
  122. Сергейчев К Ф, Лукина Н А, Арутюнян Н Р Физика плазмы 45 513 (2019); Sergeichev K F, Lukina N A, Arutyunyan N R Plasma Phys. Rep. 45 551 (2019)
  123. Martineau P et al Phys. Status Solidi C 6 1953 (2009)
  124. Martineau P M et al J. Phys. Condens. Matter 21 364205 (2009)
  125. Feng Z B et al Diamond Relat. Mater. 19 1453 (2010)
  126. Umezava H et al Diamond Relat. Mater. 20 523 (2011)
  127. Willems B, Tallaire A, Achard J Diamond Relat. Mater. 41 25 (2014)
  128. Mayr M et al Phys. Status Solidi A 211 2257 (2014)
  129. Boussadi A et al Diamond Relat. Mater. 83 162 (2018)
  130. Stehl C et al Appl. Phys. Lett. 103 151905 (2013)
  131. Yan C et al Proc. Natl. Acad. Sci. USA 99 12523 (2002)
  132. Tallaire A et al Diamond Relat. Mater. 15 1700 (2006)
  133. Su Y et al J. Cryst. Growth 351 51 (2012)
  134. Liang Q et al Cryst. Growth Des. 14 3234 (2014)
  135. Yamada H, Chayahara A, Mokuno Y Diamond Relat. Mater. 101 107652 (2020)
  136. Liang Q et al Diamond Relat. Mater. 18 698 (2009)
  137. Meng Y et al Proc. Natl. Acad. Sci. USA 105 17620 (2008)
  138. Liang Q et al J. Superhard Mater. 35 195 (2013)
  139. Mokuno Y et al Diamond Relat. Mater. 14 1743 (2005)
  140. Muehle M et al Diamond Relat. Mater. 42 8 (2014)
  141. Eaton-Magaña S et al Minerals 11 177 (2021)
  142. Tallaire A et al Diamond Relat. Mater. 33 71 (2013)
  143. Tallaire A et al Diamond Relat. Mater. 20 875 (2011)
  144. Isberg J et al Science 297 1670 (2002)
  145. Friel I et al Diamond Relat. Mater. 18 808 (2009)
  146. Martineau P M et al J. Phys. Condens. Matter 21 364205 (2009)
  147. Teraji T Phys. Status Solidi A 203 3324 (2006)
  148. Goodwin D G, Butler J E Handbook of Industrial Diamonds and Diamond Films (Eds M A Prelas, G Popovici, L K Biglow) (Boca Raton, FL: CRC Press, 1997) p. 527
  149. Dischler B, Wild C (Eds) Low-Pressure Synthetic Diamond. Manufacturing and Applications (Berlin: Springer, 1998)
  150. Nazare M H, Neves A J (Eds) Properties, Growth and Applications of Diamond (Emis Datareviews Ser., 26) (London: INSPEC, 26)
  151. Asmussen J, Reinhard D K (Eds) Diamond Films Handbook (New York: M. Dekker, 2002)
  152. Nebel C E, Ristein J (Eds) Thin-Film Diamond I (Semiconductors and Semimetals) Vol. 76 (New York: Academic Press, 2003)
  153. Teraji T Physics and Applications of CVD Diamond (Eds S Koizumi, C Nebel, M Nesladek) (Weinheim: Wiley-VCH, 2008) p. 29
  154. Butler J E, Cheesman A, Ashfold M N R "Recent progress in the understanding of CVD growth of diamond" CVD Diamond for Electronic Devices and Sensors (Eds R S Sussmann) (Chichester: J. Wiley, 2009)
  155. Butler J E et al J. Phys. Condens. Matter 21 364201 (2009)
  156. Friel I Optical Engineering of Diamond (Eds R P Mildren, J R Rabeau) (Weinheim: Wiley-VCH Verlag, 2013) p. 35
  157. Tokuda N Novel Aspects of Diamond. From Growth to Applications (Topics in Applied Physics) Vol. 121 (Eds N Yang) (Heidelberg: Springer, 2015) p. 1
  158. Koizumi S, Umezawa H, Pernot J, Suzuki M (Eds) Power Electronics Device Applications of Diamond Semiconductors (Duxford: Woodhead Publ., 2018)
  159. May P W Philos. Trans. R. Soc. London A 358 473 (2000)
  160. Arnault J-C, Saada S, Ralchenko V Phys. Status Solidi Rapid Res. Lett. 16 2100354 (2022)
  161. Hayashi K et al Diamond Relat. Mater. 5 1002 (1996)
  162. Hayashi K et al Appl. Phys. Lett. 68 1220 (1996)
  163. Tyagi P K et al Diamond Relat. Mater. 15 304 (2006)
  164. Harris S J, Belton D N Thin Solid Films 212 193 (1992)
  165. Okushi H Diamond Relat. Mater. 10 281 (2001)
  166. Lukins P B, Zareie M H, Khachan J Appl. Phys. Lett. 78 1520 (2001)
  167. Godbole V P et al Appl. Phys. Lett. 71 2626 (1997)
  168. Jeong H-C, Williams E D Surf. Sci. Rep. 34 171 (1999)
  169. Uwaha M Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 62 58 (2016)
  170. Frenklach M, Skokov S J. Phys. Chem. B 101 3025 (1997)
  171. Ibach H Physics of Surfaces and Interfaces (Berlin: Springer-Verlag, 2006)
  172. Mankelevich Yu A, May P W Diamond Relat. Mater. 17 1021 (2008)
  173. Eckert M, Neyts E, Bogaerts A Cryst. Growth Des. 10 4123 (2010)
  174. Butler J E et al J. Phys. Condens. Matter 21 364201 (2009)
  175. Harris S J Appl. Phys. Lett. 56 2298 (1990)
  176. Harris S J, Belton D N Thin Solid Films 212 193 (1992)
  177. Tsuno T et al Appl. Phys. Lett. 64 572 (1994)
  178. Kuang Y et al Appl. Phys. Lett. 67 3721 (1995)
  179. Bobrov K et al Phys. Rev. B 68 195416 (2003)
  180. Foord J S, Loh K P, Jackman R B Surf. Sci. 399 1 (1998)
  181. Harris S J, Goodwin D G J. Phys. Chem. 97 23 (1993)
  182. Tamura H et al Phys. Rev. B 62 16995 (2000)
  183. Krasnoperov L N et al J. Phys. Chem. 97 11787 (1993)
  184. Battaile C C, Srolovitz D J, Butler J E J. Cryst. Growth 194 353 (1998)
  185. Skokov S, Weiner B, Frenklach M J. Phys. Chem. 98 7073 (1994)
  186. Netto A, Frenklach M Diamond Relat. Mater. 14 1630 (2005)
  187. Cheesman A, Harvey J N, Ashfold M N R J. Phys. Chem. A 112 11436 (2008)
  188. May P W et al J. Appl. Phys. 108 114909 (2010)
  189. Liu X et al Appl. Surf. Sci. 362 387 (2016)
  190. Williams M D G "Modelling {100} CVD diamond growth using kinetic Monte Carl" Doctoral Thesis (Bristol: Univ. of Bristol, 2022)
  191. Frenklach M, Skokov S J. Phys. Chem. B 101 3025 (1997)
  192. Larsson K, Carlsson J-O Phys. Rev. B 59 8315 (1999)
  193. Richley J C, Harvey J N, Ashfold M N R J. Phys. Chem. C 116 7810 (2012)
  194. May P W et al J. Phys. Condens. Matter 21 364203 (2009)
  195. van Enckevort W J P et al Surf. Coat. Technol. 47 39 (1991)
  196. Wild Ch, Herres N, Koidl P J. Appl. Phys. 68 973 (1990)
  197. van Enckevort W J P et al Diamond Relat. Mater. 4 250 (1995)
  198. Clausing R E et al Diamond Relat. Mater. 1 411 (1992)
  199. D'Evelyn M P, Graham J D, Martin L R Diamond Relat. Mater. 10 1627 (2001)
  200. Tallaire A et al Diamond Relat. Mater. 41 34 (2014)
  201. Nishitani-Gamo M et al J. Mater. Res. 14 3518 (1999)
  202. Tallaire A et al Diamond Relat. Mater. 41 34 (2014)
  203. Tsuno T et al J. Appl. Phys. 75 1526 (1994)
  204. Tokuda N et al Jpn. J. Appl. Phys. 53 04EH04 (2014)
  205. Lazea A et al Phys. Status Solidi A 209 1978 (2012)
  206. Teraji T, Mitani S, Ito T Phys. Status Solid. A 198 395 (2003)
  207. Tsuno T et al Jpn. J. Appl. Phys. 35 4724 (1996)
  208. Watanabe H et al Diamond Relat. Mater. 8 1272 (1999)
  209. Stekolnikov A A, Furthmüller J, Bechstedt F Phys. Rev. B 68 205306 (2003)
  210. Lesik M et al Diamond Relat. Mater. 56 47 (2015)
  211. Janssen G et al J. Cryst. Growth 125 42 (1992)
  212. Bales G S, Zangwill A Phys. Rev. B 41 5500 (1990)
  213. Green D S et al Science 259 1726 (1993)
  214. Silva F et al J. Phys. Condens. Matter 21 364202 (2009)
  215. Cappelli M A et al Plasma Chem. Plasma Process. 20 1 (2000)
  216. Ma J et al J. Appl. Phys. 104 103305 (2008)
  217. May P W, Mankelevich Yu A MRS Online Proc. Library 1282 302 (2010)
  218. Gicquel A et al Chem. Phys. 398 239 (2012)
  219. Clausing R E et al Diamond Relat. Mater. 1 411 (1992)
  220. Menon P M et al Diamond Relat. Mater. 7 1201 (1998)
  221. Vikharev A L et al Mater. Today Commun. 22 100816 (2020)
  222. May P W, Mankelevich Yu A J. Phys. Chem. C 112 12432 (2008)
  223. De Sio A et al Diamond Relat. Mater. 34 36 (2013)
  224. Wild C et al Diamond Relat. Mater. 2 158 (1993)
  225. Teraji T et al Phys. Status Solidi A 212 2365 (2015)
  226. Burton N C et al Proc. R. Soc. Lond. A 449 555 (1995)
  227. Nad S, Gu Y, Asmussen J Rev. Sci. Instrum. 86 074701 (2015)
  228. Бокий Г Б и др Природные и синтетические алмазы (Отв. ред. И И Шафрановский) (М.: Наука, 1986)
  229. Nad S, Asmussen J Diamond Relat. Mater. 66 36 (2016)
  230. Friel I et al Diamond Relat. Mater. 18 808 (2009)
  231. Kato Y et al Appl. Phys. Express 6 025506 (2013)
  232. Muchnikov A B et al Phys. Status Solidi A 212 2572 (2015)
  233. Widmann C J et al Diamond Relat. Mater. 64 1 (2016)
  234. Achard J et al J. Phys. D 40 6175 (2007)
  235. Luo H et al Int. J. Extrem. Manuf. 3 022003 (2021)
  236. Tarutani M et al Appl. Phys. Lett. 68 2070 (1996)
  237. Du Y et al Nanomaterials 12 741 (2022)
  238. Mayr M et al Phys. Status Solidi A 212 2480 (2015)
  239. Geng C-W et al Acta Phys. Sinica 67 248101 (2018)
  240. Bellmann K et al J. Cryst. Growth 478 187 (2017)
  241. Li S-C et al Phys. Rev. B 74 195428 (2006)
  242. Couto M et al Appl. Surf. Sci. 62 263 (1992)
  243. Moseler M, Pastewka L, Hird J Comprehensive Hard Materials Vol. 3 (Ed.-in-Chief V K Sarin) (Oxford: Elsevier, 2014) p. 81
  244. Lee N, Badzian A Diamond Relat. Mater. 6 130 (1997)
  245. Misbah C, Pierre-Louis O, Saito Y Rev. Mod. Phys. 82 981 (2010)
  246. Politi P et al Phys. Rep. 324 271 (2000)
  247. Krug J Physica A 313 47 (2002)
  248. Kallunki J, Krug J Europhys. Lett. 66 749 (2004)
  249. Michely T, Krug J Islands, Mounds, and Atoms: Patterns and Processes Crystal Growth Far from Equilibrium (Berlin: Springer, 2004)
  250. Krug J Multiscale Modeling in Epitaxial Growth (Intern. Ser. of Numerical Mathematics) Vol. 149 (Ed. A Voigt) (Basel: Birkhäuser, 2005) p. 69
  251. Gillet F, Pierre-Louis O, Misbah C Eur. Phys. J. B 18 519 (2000)
  252. Corrion A L, Wu F, Speck J S J. Appl. Phys. 112 054903 (2012)
  253. Kaufmann N A K et al J. Cryst. Growth 433 36 (2016)
  254. Bryan I et al J. Cryst. Growth 438 81 (2016)
  255. Rouzbahani R et al Carbon 172 463 (2021)
  256. Demlow S N, Rechenberg R, Grotjohn T Diamond Relat. Mater. 49 19 (2014)
  257. Shu G et al CrystEngComm. 22 2138 (2020)
  258. Zhang P et al Coatings 11 888 (2021)
  259. Pimpinelli A et al Phys. Rev. Lett. 88 206103 (2002)
  260. Krug J Collective Dynamics of Nonlinear and Disordered Systems (Eds G Radons, W Just, P Häussler) (Berlin: Springer, 2005) p. 5
  261. Yu Y-M et al Appl. Phys. Lett. 99 263106 (2011)
  262. Chernov A A J. Crys. Growth 264 499 (2004)
  263. Rost M, Šmilauer P, Krug J Surf. Sci. 369 393 (1996)
  264. Xie M H, Leung S Y, Tong S Y Surf. Sci. 515 L459 (2002)
  265. Slanina F, Krug J, Kotrla M Phys. Rev. E 71 041605 (2005)
  266. Sato M, Uwaha M Surf. Sci. 442 318 (1999)
  267. Tonchev V Bulgarian Chem. Commun. 44 9 (2012)
  268. Vollmer J et al New J. Phys. 10 053017 (2008)
  269. Ashkinazi E E et al Crystals 7 166 (2017)
  270. Akutsu N Phys. Rev. E 86 061604 (2012)
  271. Tamor M A, Everson M P J. Mater. Res. 9 1839 (1994)
  272. Takami T et al Surf. Sci. 440 103 (1999)
  273. Maroutian T, Douillard L, Ernst H-J Phys. Rev. B 64 165401 (2001)
  274. de Theije F K, Schermer J J, van Enckevort W J P Diamond Relat. Mater. 9 1439 (2000)
  275. Bogdan G "Growth and properties of nearly atomically-flat single crystal diamond prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition and its surface interactions" Doctoral Thesis (Leuven: Katholieke Univ. Leuven, 2007)
  276. Achard J et al J. Cryst. Growth 284 396 (2005)
  277. Ivanov O A et al Mater. Lett. 151 115 (2015)
  278. Tallaire A et al Phys. Status Solidi A 201 2419 (2004)
  279. Naamoun M et al Phys. Status Solidi A 209 1715 (2012)
  280. Tsubouchi N, Mokuno Y, Shikata S Diamond Relat. Mater. 63 43 (2016)
  281. Tsubouchi N, Mokuno Y J. Cryst. Growth 455 71 (2016)
  282. Ichikawa K et al Thin Solid Films 600 142 (2016)
  283. Kato Y et al Diamond Relat. Mater. 23 109 (2012)
  284. Hoa L T M et al Cryst. Growth Des. 14 5761 (2014)
  285. Ichikawa K et al J. Appl. Phys. 128 155302 (2020)
  286. Tallaire A et al Cryst. Growth Des. 16 2741 (2016)
  287. Rodgers W J et al J. Chem. Phys. 142 214707 (2015)
  288. Sunagawa I J. Cryst. Growth 99 1156 (1990)
  289. Mironov V P AIP Conf. Proc. 2069 040006 (2019)
  290. Palyanov Y N et al Cryst. Growth Des. 9 2922 (2009)
  291. Kallunki J, Krug J Europhys. Lett. 66 749 (2004)
  292. Yurov V et al Phys. Status Solidi A 214 1700177 (2017)
  293. Yin X, Geng D, Wang X Angew. Chem. Int. Ed. 55 2217 (2016)
  294. Yamada H, Chayahara A, Mokuno Y Jpn. J. Appl. Phys. 55 01AC07 (2016)
  295. Leal F F, Oliveira T J, Ferreira S C J. Stat. Mech. P09018 (2011)
  296. Shao G et al Materials 14 5964 (2021)
  297. Zhao Y et al Materials 12 2492 (2019)
  298. Ramamurti R et al Diamond Relat. Mater. 17 1320 (2008)
  299. Tallaire A et al Diamond Relat. Mater. 17 60 (2008)
  300. Nakano Y et al Diamond Relat. Mater. 125 108997 (2022)
  301. Krug J Nanoscale Phenomena and Structures. Proc. of the Conf. on Nanoscale Phenomena and Structures in Bulk and Surface Phases, Sofia, 2008 (Ed. D Kashchiev) (Sofia: Prof. Marin Drinov Publ. House of BAS, 2008); Krug J arXiv:0709.2049
  302. Cubillas P, Anderson M W Zeolites and Catalysis: Synthesis, Reactions and Applications (Eds J Čejka, A Corma, S Zones) (Weinheim: Wiley-VCH, 2010) p. 1
  303. Redinger A et al Phys. Rev. Lett. 100 035506 (2008)
  304. Krug J , 2007 MRS Fall Meeting and Exhibit, November 26-30, 2007, Boston
  305. Krug J J. Stat. Phys. 87 505 (1997)
  306. Tsubouchi N, Ogura M, Makino T Diamond Relat. Mater. 97 107422 (2019)
  307. Gaukroger M P et al Diamond Relat. Mater. 17 262 (2008)
  308. Kato Y et al Jpn. J. Appl. Phys. 51 090103 (2012)
  309. Tsubouchi N, Shikata S Jpn. J. Appl. Phys. 53 068010 (2014)
  310. Naamoun M et al Diamond Relat. Mater. 58 62 (2015)
  311. Tallaire A et al Adv. Mater. 29 1604823 (2017)
  312. Fujita N et al Phys. Status Solidi A 203 3070 (2006)
  313. Kato Y et al Diamond Relat. Mater. 29 37 (2012)
  314. Sato Y, Miyajima K, Shikata S Diamond Relat. Mater. 126 109129 (2022)
  315. Giesen M, Icking-Konert G S Surf. Sci. 412-413 645 (1998)
  316. Tsuno T, Imai T, Fujimori N Jpn. J. Appl. Phys. 33 4039 (1994)
  317. Lloret F et al Phys. Status Solidi A 213 12570 (2016)
  318. Lloret F et al Appl. Phys. Lett. 108 181901 (2016)
  319. Lloret F et al Nanomaterials 8 814 (2018)
  320. Wang C, Irie M, Ito T Diamond Relat. Mater. 9 1650 (2000)
  321. Achard J et al Phys. Status Solidi A 211 2264 (2014)
  322. Buhler J, Prior Y J. Cryst. Growth 209 779 (2000)
  323. Delclos S et al Diamond Relat. Mater. 9 346 (2000)
  324. Angus J C et al J. Mater. Res. 7 3001 (1992)
  325. Dorignac D, Delclos S, Phillipp F Philos. Mag. B 81 1879 (2001)
  326. Takami T et al J. Vac. Sci. Technol. B 18 1198 (2000)
  327. Sawada H et al Diamond Relat. Mater. 10 2030 (2001)
  328. Tsubouchi N Appl. Phys. Lett. 117 222103 (2020)
  329. Ohmagari S et al J. Cryst. Growth 479 52 (2017)
  330. Zauner A R A et al J. Cryst. Growth 210 435 (2000)
  331. Zhou K et al J. Cryst. Growth 371 7 (2013)
  332. Okushi H et al J. Cryst. Growth 237-239 1269 (2002)
  333. Liang Q et al Appl. Phys. Lett. 94 024103 (2009)
© Успехи физических наук, 1918–2025
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение