Выпуски

 / 

2022

 / 

Июнь

  

Обзоры актуальных проблем


Стрейнтроника двумерных неорганических материалов для электронных и оптических приложений

 
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Стрейнтроника как платформа для создания нового поколения устройств обработки информации, а также физическая база для разработки элементов гибкой электроники с использованием двумерных (2D) неорганических материалов, является в настоящее время одним из интенсивно развивающихся направлений наноэлектроники. Одно из привлекательных свойств нового семейства 2D кристаллов — высокая способность к деформации и растягиванию. Использование деформаций может приводить к удивительным изменениям электронных свойств 2D материалов и ван-дер-ваальсовых гетероструктур на их основе, к неожиданным технологическим и инженерным решениям. Деформационная инженерия как направление работ по поиску возможностей настройки физических свойств материалов путём контроля полей упругой деформации идеальна для реализации именно в атомарно тонких материалах и структурах.

Текст pdf (2 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2021.05.038984
Ключевые слова: стрейнтроника, графен, 2D материалы, гетероструктуры, механические свойства, запрещённая зона, электрические свойства, фотолюминесценция, рассеяние света, поглощение света, настройка оптических свойств, локальные деформации, корругированные монослои, адсорбция атомов, возможные приложения
PACS: 68.60.Bs, 68.65.Pq, 72.80.Vp, 73.40.−c, 77.65.Ly (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2021.05.038984
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2022/6/b/
001098556400001
2-s2.0-85182907895
2022PhyU...65..567A
Цитата: Антонова И В "Стрейнтроника двумерных неорганических материалов для электронных и оптических приложений" УФН 192 609–641 (2022)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 24 ноября 2020, доработана: 16 апреля 2021, 3 мая 2021

English citation: Antonova I V “Straintronics of 2D inorganic materials for electronic and optical applicationsPhys. Usp. 65 567–596 (2022); DOI: 10.3367/UFNe.2021.05.038984

Список литературы (249) Статьи, ссылающиеся на эту (6) Похожие статьи (20) ↓

  1. П.В. Ратников, А.П. Силин «Двумерная графеновая электроника: современное состояние и перспективы» 188 1249–1287 (2018)
  2. Е.Ф. Шека, Н.А. Попова, В.А. Попова «Физика и химия графена. Эмерджентность, магнетизм, механофизика и механохимия» 188 720–772 (2018)
  3. А.А. Бухараев, А.К. Звездин и др. «Стрейнтроника — новое направление микро- и наноэлектроники и науки о материалах» 188 1288–1330 (2018)
  4. А.Е. Галашев, О.Р. Рахманова «Устойчивость графена и материалов на его основе при механических и термических воздействиях» 184 1045–1065 (2014)
  5. Л.А. Чернозатонский, А.А. Артюх «Квазидвумерные дихалькогениды переходных металлов: структура, синтез, свойства и применение» 188 3–30 (2018)
  6. П.Б. Сорокин, Л.А. Чернозатонский «Полупроводниковые наноструктуры на основе графена» 183 113–132 (2013)
  7. К.В. Ларионов, П.Б. Сорокин «Исследование плёнок моноатомной толщины: современное состояние» 191 30–51 (2021)
  8. А.В. Елецкий, И.М. Искандарова и др. «Графен: методы получения и теплофизические свойства» 181 233–268 (2011)
  9. Д.Д. Сукачёв «Протяжённые квантовые сети» 191 1077–1094 (2021)
  10. И.В. Антонова, А.И. Иванов «Носимые неинвазивные сенсоры глюкозы на основе графена и других углеродных материалов», принята к публикации
  11. С.А. Никитов, А.Р. Сафин и др. «Диэлектрическая магноника — от гигагерцев к терагерцам» 190 1009–1040 (2020)
  12. В.Г. Веселаго «Электродинамика веществ с одновременно отрицательными значениями ε и μ» 92 517–526 (1967)
  13. М.А. Семина, Р.А. Сурис «Локализованные экситоны и трионы в полупроводниковых наносистемах» 192 121–142 (2022)
  14. Г.Н. Макаров «Лазерная ИК-фрагментация молекулярных кластеров: роль каналов ввода и релаксации энергии, влияние окружения, динамика фрагментации» 187 241–276 (2017)
  15. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков «Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок» 178 459–480 (2008)
  16. А.С. Борухович «Особенности квантового туннелирования в мультислоях и гетероструктурах, содержащих ферромагнитные полупроводники» 169 737–751 (1999)
  17. А.П. Пятаков, А.К. Звездин «Магнитоэлектрические материалы и мультиферроики» 182 593–620 (2012)
  18. Л.С. Палатник, А.И. Ильинский «Механические свойства металлических пленок» 95 613–645 (1968)
  19. М.В. Дурнев, М.М. Глазов «Экситоны и трионы в двумерных полупроводниках на основе дихалькогенидов переходных металлов» 188 913–934 (2018)
  20. Р.А. Андриевский «Тугоплавкие соединения: новые подходы и результаты» 187 296–310 (2017)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение