Выпуски

 / 

2022

 / 

Июнь

  

Обзоры актуальных проблем


Стрейнтроника двумерных неорганических материалов для электронных и оптических приложений

 
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Стрейнтроника как платформа для создания нового поколения устройств обработки информации, а также физическая база для разработки элементов гибкой электроники с использованием двумерных (2D) неорганических материалов, является в настоящее время одним из интенсивно развивающихся направлений наноэлектроники. Одно из привлекательных свойств нового семейства 2D кристаллов — высокая способность к деформации и растягиванию. Использование деформаций может приводить к удивительным изменениям электронных свойств 2D материалов и ван-дер-ваальсовых гетероструктур на их основе, к неожиданным технологическим и инженерным решениям. Деформационная инженерия как направление работ по поиску возможностей настройки физических свойств материалов путём контроля полей упругой деформации идеальна для реализации именно в атомарно тонких материалах и структурах.

Текст pdf (2 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2021.05.038984
Ключевые слова: стрейнтроника, графен, 2D материалы, гетероструктуры, механические свойства, запрещённая зона, электрические свойства, фотолюминесценция, рассеяние света, поглощение света, настройка оптических свойств, локальные деформации, корругированные монослои, адсорбция атомов, возможные приложения
PACS: 68.60.Bs, 68.65.Pq, 72.80.Vp, 73.40.−c, 77.65.Ly (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2021.05.038984
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2022/6/b/
001098556400001
2-s2.0-85182907895
2022PhyU...65..567A
Цитата: Антонова И В "Стрейнтроника двумерных неорганических материалов для электронных и оптических приложений" УФН 192 609–641 (2022)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 24 ноября 2020, доработана: 16 апреля 2021, 3 мая 2021

English citation: Antonova I V “Straintronics of 2D inorganic materials for electronic and optical applicationsPhys. Usp. 65 567–596 (2022); DOI: 10.3367/UFNe.2021.05.038984

Список литературы (249) Статьи, ссылающиеся на эту (9) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Davydov S Yu, Lebedev A A Semiconductors 58 401 (2024)
  2. Díaz-Bautista E, Betancur-Ocampo Y, Raya A 136 (12) (2024)
  3. Lebedeva O S, Lebedev N G et al Russ. J. Phys. Chem. B 18 794 (2024)
  4. Lopez-Suarez M, Lleopart G et al Phil. Trans. R. Soc. A. 381 (2250) (2023)
  5. Eroshenko Yu N Успехи физических наук 192 1416 (2022)
  6. [Eroshenko Yu N Phys. Usp. 65 1323 (2022)]
  7. Antonova I V, Shavelkina M B et al Phys. Chem. Chem. Phys. 24 28232 (2022)
  8. Vasileva F, Popov V et al Materials 15 1256 (2022)
  9. Ivanov A I, Antonova I V Flex. Print. Electron. 7 035019 (2022)

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение