Выпуски

 / 

2022

 / 

Февраль

  

Обзоры актуальных проблем


Локализованные экситоны и трионы в полупроводниковых наносистемах

 ,  
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация

Оптические свойства полупроводников и наногетероструктур на их основе вблизи края фундаментального поглощения определяются электрон-дырочными комплексами, такими как экситоны и трёхчастичные заряженные комплексы — трионы. Представлены результаты теоретических исследований строения и энергий связи локализованных экситонов и трионов в наносистемах в рамках вариационного подхода. Рассмотренный подход применим к широкому кругу полупроводниковых систем: от квантовых ям, проволок и точек на основе классических полупроводников III-V и II-VI до ван-дер-ваальсовых гетероструктур из монослоёв дихалькогенидов переходных металлов. Кроме того, обсуждаются многочастичные эффекты в структурах, содержащих резидентные носители заряда. Рассмотрение теоретических подходов сопровождается обсуждением экспериментальных результатов, широко представленных в литературе.

Текст pdf (1,4 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2020.11.038867
Ключевые слова: экситон, трион, энергия связи, волновая функция, локализация, квантовая яма, монослои дихалькогенидов переходных металлов, вариационный метод, оптические спектры
PACS: 78.20.Bh, 78.30.Fs, 78.66.Li, 78.67-n, 78.67.De (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2020.11.038867
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2022/2/a/
000805351300002
2-s2.0-85126940785
2022PhyU...65..111S
Цитата: Семина М А, Сурис Р А "Локализованные экситоны и трионы в полупроводниковых наносистемах" УФН 192 121–142 (2022)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 18 августа 2020, доработана: 14 ноября 2020, 18 ноября 2020

English citation: Semina M A, Suris R A “Localized excitons and trions in semiconductor nanosystemsPhys. Usp. 65 111–130 (2022); DOI: 10.3367/UFNe.2020.11.038867

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение