Локализованные экситоны и трионы в полупроводниковых наносистемах
М.А. Семина†,
Р.А. Сурис‡ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
Оптические свойства полупроводников и наногетероструктур на их основе вблизи края фундаментального поглощения определяются электрон-дырочными комплексами, такими как экситоны и трёхчастичные заряженные комплексы — трионы. Представлены результаты теоретических исследований строения и энергий связи локализованных экситонов и трионов в наносистемах в рамках вариационного подхода. Рассмотренный подход применим к широкому кругу полупроводниковых систем: от квантовых ям, проволок и точек на основе классических полупроводников III-V и II-VI до ван-дер-ваальсовых гетероструктур из монослоёв дихалькогенидов переходных металлов. Кроме того, обсуждаются многочастичные эффекты в структурах, содержащих резидентные носители заряда. Рассмотрение теоретических подходов сопровождается обсуждением экспериментальных результатов, широко представленных в литературе.
Ключевые слова: экситон, трион, энергия связи, волновая функция, локализация, квантовая яма, монослои дихалькогенидов переходных металлов, вариационный метод, оптические спектры PACS:78.20.Bh, 78.30.Fs, 78.66.Li, 78.67-n, 78.67.De (все) DOI:10.3367/UFNr.2020.11.038867 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2022/2/a/ 000805351300002 2-s2.0-85126940785 2022PhyU...65..111S Цитата: Семина М А, Сурис Р А "Локализованные экситоны и трионы в полупроводниковых наносистемах" УФН192 121–142 (2022)