Выпуски

 / 

2022

 / 

Февраль

  

Обзоры актуальных проблем


Локализованные экситоны и трионы в полупроводниковых наносистемах

 ,  
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация

Оптические свойства полупроводников и наногетероструктур на их основе вблизи края фундаментального поглощения определяются электрон-дырочными комплексами, такими как экситоны и трёхчастичные заряженные комплексы — трионы. Представлены результаты теоретических исследований строения и энергий связи локализованных экситонов и трионов в наносистемах в рамках вариационного подхода. Рассмотренный подход применим к широкому кругу полупроводниковых систем: от квантовых ям, проволок и точек на основе классических полупроводников III-V и II-VI до ван-дер-ваальсовых гетероструктур из монослоёв дихалькогенидов переходных металлов. Кроме того, обсуждаются многочастичные эффекты в структурах, содержащих резидентные носители заряда. Рассмотрение теоретических подходов сопровождается обсуждением экспериментальных результатов, широко представленных в литературе.

Текст pdf (1,4 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2020.11.038867
Ключевые слова: экситон, трион, энергия связи, волновая функция, локализация, квантовая яма, монослои дихалькогенидов переходных металлов, вариационный метод, оптические спектры
PACS: 78.20.Bh, 78.30.Fs, 78.66.Li, 78.67-n, 78.67.De (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2020.11.038867
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2022/2/a/
000805351300002
2-s2.0-85126940785
2022PhyU...65..111S
Цитата: Семина М А, Сурис Р А "Локализованные экситоны и трионы в полупроводниковых наносистемах" УФН 192 121–142 (2022)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 18 августа 2020, доработана: 14 ноября 2020, 18 ноября 2020

English citation: Semina M A, Suris R A “Localized excitons and trions in semiconductor nanosystemsPhys. Usp. 65 111–130 (2022); DOI: 10.3367/UFNe.2020.11.038867

Список литературы (230) Статьи, ссылающиеся на эту (11) Похожие статьи (20) ↓

  1. М.В. Дурнев, М.М. Глазов «Экситоны и трионы в двумерных полупроводниках на основе дихалькогенидов переходных металлов» УФН 188 913–934 (2018)
  2. П.В. Ратников, А.П. Силин «Двумерная графеновая электроника: современное состояние и перспективы» УФН 188 1249–1287 (2018)
  3. М.М. Глазов, Р.А. Сурис «Коллективные состояния экситонов в полупроводниках» УФН 190 1121–1142 (2020)
  4. Л.А. Чернозатонский, А.А. Артюх «Квазидвумерные дихалькогениды переходных металлов: структура, синтез, свойства и применение» УФН 188 3–30 (2018)
  5. Д.Д. Сукачёв «Протяжённые квантовые сети» УФН 191 1077–1094 (2021)
  6. В.Г. Плеханов «Изотопические эффекты и эффекты разупорядочения в спектроскопии экситонов большого радиуса» УФН 167 577–604 (1997)
  7. И.В. Антонова «Стрейнтроника двумерных неорганических материалов для электронных и оптических приложений» УФН 192 609–641 (2022)
  8. В.В. Лидер «Прецизионное определение параметров кристаллической решётки» УФН 190 971–994 (2020)
  9. А.В. Елецкий, А.А. Книжник и др. «Электрические характеристики полимерных композитов, содержащих углеродные нанотрубки» УФН 185 225–270 (2015)
  10. А.С. Мищенко «Диаграммный метод Монте-Карло в применении к проблемам поляронов» УФН 175 925–942 (2005)
  11. Ю.Б. Кудасов «Ближний порядок в сильно коррелированных ферми-системах» УФН 173 121–144 (2003)
  12. М.И. Чибисов «Электронные процессы при медленном столкновении отрицательного и положительного атомных ионов» УФН 172 3–29 (2002)
  13. Н.Г. Птицына, Дж. Виллорези и др. «Естественные и техногенные низкочастотные магнитные поля как факторы, потенциально опасные для здоровья» УФН 168 767–791 (1998)
  14. П.Г. Баранов, А.М. Калашникова и др. «Спинтроника полупроводниковых, металлических, диэлектрических и гибридных структур (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)» УФН 189 849–880 (2019)
  15. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца» УФН 172 875–906 (2002)
  16. В.В. Лидер «Многослойные рентгеновские интерференционные структуры» УФН 189 1137–1171 (2019)
  17. Л.В. Кулик, А.В. Горбунов и др. «Спиновые возбуждения в двумерном электронном газе, их релаксация, методы фотовозбуждения и детектирования, роль кулоновских корреляций» УФН 189 925–954 (2019)
  18. М.В. Харламова «Электронные свойства одностенных углеродных нанотрубок и их производных» УФН 183 1145–1174 (2013)
  19. В.Д. Кулаковский, В.Г. Лысенко, В.Б. Тимофеев «Экситонные молекулы в полупроводниках» УФН 147 3–47 (1985)
  20. Я.С. Ляхова, Г.В. Астрецов, А.Н. Рубцов «Концепция среднего поля и методы пост-DMFT в современной теории коррелированных систем» УФН 193 825–844 (2023)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение