Поверхностно-плазменный метод получения пучков отрицательных ионов
В.Г. Дудников†а,б аНовосибирский национальный исследовательский государственный университет, Академгородок, ул. Пирогова 2, Новосибирск, 630090, Российская Федерация бИнститут ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН, просп. акад. Лаврентьева 11, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
Повышенный интерес к разработке источников отрицательных ионов связан с развитием их важных применений. Это, прежде всего, тандемные ускорители, высокоэнергетическая имплантация и ускорительная масс-спектрометрия, сверхколлимированные пучки, перезарядная инжекция в циклические ускорители и накопители, перезарядный вывод пучков из циклотронов, инжекторы нейтралов высоких энергий в плазменные установки, перезарядная разводка пучков. Описано развитие источников отрицательных ионов и их применение в исследованиях и в промышленности. Дано описание физических основ и конструкций поверхностно-плазменных источников отрицательных ионов, а также история их разработки.
Ключевые слова: поверхностно-плазменный метод, поверхностно-плазменный источник (ППИ), работа выхода, отрицательные ионы, цезий, ВЧ-разряд PACS:01.65.+g, 29.25.Ni, 52.80.Pi (все) DOI:10.3367/UFNr.2019.04.038558 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2019/12/e/ 000518758100004 2-s2.0-85082016723 Цитата: Дудников В Г "Поверхностно-плазменный метод получения пучков отрицательных ионов" УФН189 1315–1351 (2019)