RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 4, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2018

 / 

Сентябрь

←  →

Обзоры актуальных проблем


Экситоны и трионы в двумерных полупроводниках на основе дихалькогенидов переходных металлов

,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований экситонных эффектов в мономолекулярных слоях дихалькогенидов переходных металлов. В этих двумерных полупроводниках прямая запрещённая зона шириной порядка 2 эВ реализуется на границах зоны Бриллюэна, а энергия связи нейтральных и заряженных экситонов составляет сотни и десятки миллиэлектронвольт соответственно. Таким образом, оптические свойства монослоёв дихалькогенидов переходных металлов контролируются электронно-дырочными кулоновскими комплексами. Обсуждаются детали зонной структуры, необходимые для понимания экситонных эффектов в этих материалах, строение и тонкая структура экситонов и трионов, особенности спиновой и долинной динамики кулоновских комплексов, а также проявления нейтральных и заряженных экситонов в линейных и нелинейных оптических эффектах.

Текст pdf (1,7 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2017.07.038172
Ключевые слова: монослои дихалькогенидов переходных металлов, кулоновское взаимодействие, обменное взаимодействие, экситон, трион, спиновая динамка, долинная динамика, оптическая ориентация, двухфотонное поглощение, генерация второй гармоники, эффект Зеемана
PACS: 71.35.−y, 73.20.Mf, 78.67.−n (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2017.07.038172
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2018/9/a/
000452480000001
2-s2.0-85058448965
2018PhyU...61..825D
Цитата: Дурнев М В, Глазов М М "Экситоны и трионы в двумерных полупроводниках на основе дихалькогенидов переходных металлов" УФН 188 913–934 (2018)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 4 июля 2017, доработана: 14 июля 2017, 14 июля 2017

English citation: Durnev M V, Glazov M M “Excitons and trions in two-dimensional semiconductors based on transition metal dichalcogenides” Phys. Usp. 61 825–845 (2018); DOI: 10.3367/UFNe.2017.07.038172

Список литературы (159) Статьи, ссылающиеся на эту (52) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Kezerashvili R Ya, Tsiklauri Sh M, Dublin A Phys. Rev. B 109 (8) (2024)
  2. Mughnetsyan V, Manaselyan A et al Semicond. Sci. Technol. 39 045016 (2024)
  3. Semina M A, Mamedov Ja V, Glazov M M 3 (1) (2023)
  4. Shubina T V, Galimov A I et al Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 87 S52 (2023)
  5. Demeridou I, Mavrotsoupakis E G et al 2D Mater. 10 025023 (2023)
  6. Gabovich A M, Li M S et al Phys. Rev. B 105 (11) (2022)
  7. Glazov M M, Iakovlev Z A, Refaely-Abramson S 121 (19) (2022)
  8. Kapil B, Sharma Sh et al Eur. Phys. J. Plus 137 (7) (2022)
  9. Putnam R E, Raikh M E Solid State Communications 341 114543 (2022)
  10. Zhao Q, Zhou W-J et al J. Phys. D: Appl. Phys. 55 203002 (2022)
  11. Chang Ya-W, Chang Y-Ch 157 (4) (2022)
  12. Smirnov D S, Holler J et al 2D Mater. 9 045016 (2022)
  13. Burmistrov I  S, Kachorovskii V  Yu et al Phys. Rev. Lett. 128 (9) (2022)
  14. Semina M A, Suris R A Phys.-Usp. 65 111 (2022)
  15. Parfenov M V, Kachorovskii V Yu, Burmistrov I S Phys. Rev. B 106 (23) (2022)
  16. Lindoy L P, Chang Ya-W, Reichman D R Phys. Rev. B 106 (23) (2022)
  17. Glazov M M, Dirnberger F et al Phys. Rev. B 106 (12) (2022)
  18. Leppenen N V, Golub L E, Ivchenko E L Phys. Rev. B 103 (23) (2021)
  19. Mahmoodian M M, Chaplik A V Jetp Lett. 114 545 (2021)
  20. Eroshenko Yu N Успехи физических наук 191 110 (2021) [Eroshenko Yu N Phys.-Usp. 64 106 (2021)]
  21. Eroshenko Yu N Успехи физических наук 191 110 (2021) [Eroshenko Yu N Phys.-Usp. 64 858 (2021)]
  22. Quintela M F C M, Henriques J C G, Peres N M R Phys. Rev. B 104 (20) (2021)
  23. Eroshenko Yu N Успехи физических наук 191 904 (2021)
  24. Prazdnichnykh A I, Glazov M M et al Phys. Rev. B 103 (8) (2021)
  25. Kudlis A, Iorsh I Phys. Rev. B 103 (11) (2021)
  26. Liu H, Pau A, Efimkin D K Phys. Rev. B 104 (16) (2021)
  27. Eliseyev I A, Galimov A I et al Physica Rapid Research Ltrs 15 (10) (2021)
  28. Pekh P L, Ratnikov P V, Silin A P J. Exp. Theor. Phys. 133 494 (2021)
  29. Kotova L V, Rakhlin M V et al Nanoscale 13 17566 (2021)
  30. Akmaev M A, Glazov M M et al 119 (11) (2021)
  31. Smirnov D S Phys. Rev. B 104 (24) (2021)
  32. Efimkin D K, Laird E K et al Phys. Rev. B 103 (7) (2021)
  33. Chang Ya-W, Chang Y-Ch 155 (2) (2021)
  34. Glazov M M, Ivchenko E L Jetp Lett. 113 7 (2021)
  35. Martins Q M F C, Peres N M R Eur. Phys. J. B 93 (12) (2020)
  36. Smirnova O O, Eliseyev I A et al J. Phys.: Conf. Ser. 1482 012038 (2020)
  37. Kotova L V, Platonov A V et al Semiconductors 54 1509 (2020)
  38. Munkhbat B, Baranov D G et al ACS Nano 14 1196 (2020)
  39. (INTERNATIONAL CONFERENCE ON PHYSICS AND CHEMISTRY OF COMBUSTION AND PROCESSES IN EXTREME ENVIRONMENTS (COMPHYSCHEM’20-21) and VI INTERNATIONAL SUMMER SCHOOL “MODERN QUANTUM CHEMISTRY METHODS IN APPLICATIONS”) Vol. INTERNATIONAL CONFERENCE ON PHYSICS AND CHEMISTRY OF COMBUSTION AND PROCESSES IN EXTREME ENVIRONMENTS (COMPHYSCHEM’20-21) and VI INTERNATIONAL SUMMER SCHOOL “MODERN QUANTUM CHEMISTRY METHODS IN APPLICATIONS”Many-body phenomena in semiconductors and cluster expansion approachAndreyKudlisGulnazRakhmanovaIvanIorsh2304 (2020) p. 020072
  40. Ratnikov P V Phys. Rev. B 102 (8) (2020)
  41. Zipfel J, Wagner K et al 153 (3) (2020)
  42. Glazov M M 153 (3) (2020)
  43. Leppenen N V, Golub L E, Ivchenko E L Phys. Rev. B 102 (15) (2020)
  44. Pekh P L, Ratnikov P V, Silin A P Jetp Lett. 111 90 (2020)
  45. Chernozatonskii L A, Kvashnin D G Nanotechnology 31 115203 (2020)
  46. Avdeev I D, Smirnov D S Nanoscale Adv. 1 2624 (2019)
  47. Glazov M M Phys. Rev. B 100 (4) (2019)
  48. Glazov M M, Semina M A et al Phys. Rev. B 100 (4) (2019)
  49. Chang Ya-W, Reichman D R Phys. Rev. B 99 (12) (2019)
  50. Semina M A Phys. Solid State 61 2218 (2019)
  51. 374 (2019)
  52. Gabovich A M, Voitenko A I Condensed Matter 4 44 (2019)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение