Выпуски

 / 

2018

 / 

Сентябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Экситоны и трионы в двумерных полупроводниках на основе дихалькогенидов переходных металлов

,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований экситонных эффектов в мономолекулярных слоях дихалькогенидов переходных металлов. В этих двумерных полупроводниках прямая запрещённая зона шириной порядка 2 эВ реализуется на границах зоны Бриллюэна, а энергия связи нейтральных и заряженных экситонов составляет сотни и десятки миллиэлектронвольт соответственно. Таким образом, оптические свойства монослоёв дихалькогенидов переходных металлов контролируются электронно-дырочными кулоновскими комплексами. Обсуждаются детали зонной структуры, необходимые для понимания экситонных эффектов в этих материалах, строение и тонкая структура экситонов и трионов, особенности спиновой и долинной динамики кулоновских комплексов, а также проявления нейтральных и заряженных экситонов в линейных и нелинейных оптических эффектах.

Текст pdf (1,7 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2017.07.038172
Ключевые слова: монослои дихалькогенидов переходных металлов, кулоновское взаимодействие, обменное взаимодействие, экситон, трион, спиновая динамка, долинная динамика, оптическая ориентация, двухфотонное поглощение, генерация второй гармоники, эффект Зеемана
PACS: 71.35.−y, 73.20.Mf, 78.67.−n (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2017.07.038172
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2018/9/a/
000452480000001
2-s2.0-85058448965
2018PhyU...61..825D
Цитата: Дурнев М В, Глазов М М "Экситоны и трионы в двумерных полупроводниках на основе дихалькогенидов переходных металлов" УФН 188 913–934 (2018)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Экситоны и трионы в двумерных полупроводниках на основе дихалькогенидов переходных металлов
A1 Дурнев,М.В.
A1 Глазов,М.М.
PB Успехи физических наук
PY 2018
FD 10 Sep, 2018
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 188
IS 9
SP 913-934
DO 10.3367/UFNr.2017.07.038172
LK https://ufn.ru/ru/articles/2018/9/a/

Поступила: 4 июля 2017, доработана: 14 июля 2017, 14 июля 2017

English citation: Durnev M V, Glazov M M “Excitons and trions in two-dimensional semiconductors based on transition metal dichalcogenidesPhys. Usp. 61 825–845 (2018); DOI: 10.3367/UFNe.2017.07.038172

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение