Выпуски

 / 

2013

 / 

февраль

  

Обзоры актуальных проблем


Полупроводниковые наноструктуры на основе графена

 а, б,  б
а Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, ул. Центральная 7а, Троицк, Москва, 142190, Российская Федерация
б Институт биохимической физики им. Н.М. Эмануэля РАН, ул. Косыгина 4, Москва, 119334, Российская Федерация

Обзор посвящён современному состоянию исследований в одной из актуальных областей физики и химии графена — изучению его производных, имеющих полупроводниковую проводимость. Подробно рассмотрены электронные свойства таких материалов, как графеновая лента, частично гидрированный и фторированный графен, графан, фторографен, диаман.

Текст pdf (4,6 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0183.201302a.0113
PACS: 73.22.−f, 73.22.Pr, 73.61.Ey, 81.05.ue (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0183.201302a.0113
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2013/2/a/
000319332300001
2-s2.0-84878248305
2013PhyU...56..105S
Цитата: Сорокин П Б, Чернозатонский Л А "Полупроводниковые наноструктуры на основе графена" УФН 183 113–132 (2013)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

поступила: 30 января 2012, 17 февраля 2012

English citation: Sorokin P B, Chernozatonskii L A “Graphene-based semiconductor nanostructuresPhys. Usp. 56 105–122 (2013); DOI: 10.3367/UFNe.0183.201302a.0113

Список литературы (276) Статьи, ссылающиеся на эту (55) Похожие статьи (20) ↓

  1. А.В. Елецкий, И.М. Искандарова и др. «Графен: методы получения и теплофизические свойства» УФН 181 233–268 (2011)
  2. П.В. Ратников, А.П. Силин «Двумерная графеновая электроника: современное состояние и перспективы» УФН 188 1249–1287 (2018)
  3. К.В. Ларионов, П.Б. Сорокин «Исследование плёнок моноатомной толщины: современное состояние» УФН 191 30–51 (2021)
  4. А.Е. Галашев, О.Р. Рахманова «Устойчивость графена и материалов на его основе при механических и термических воздействиях» УФН 184 1045–1065 (2014)
  5. Е.Ф. Шека, Н.А. Попова, В.А. Попова «Физика и химия графена. Эмерджентность, магнетизм, механофизика и механохимия» УФН 188 720–772 (2018)
  6. Л.А. Чернозатонский, А.А. Артюх «Квазидвумерные дихалькогениды переходных металлов: структура, синтез, свойства и применение» УФН 188 3–30 (2018)
  7. М.В. Харламова «Электронные свойства одностенных углеродных нанотрубок и их производных» УФН 183 1145–1174 (2013)
  8. Г.Н. Макаров «Применение лазеров в нанотехнологии: получение наночастиц и наноструктур методами лазерной абляции и лазерной нанолитографии» УФН 183 673–718 (2013)
  9. А.В. Елецкий «Углеродные нанотрубки» УФН 167 945–972 (1997)
  10. М.В. Дурнев, М.М. Глазов «Экситоны и трионы в двумерных полупроводниках на основе дихалькогенидов переходных металлов» УФН 188 913–934 (2018)
  11. А.В. Елецкий, Б.М. Смирнов «Фуллерены и структуры углерода» УФН 165 977–1009 (1995)
  12. А.В. Елецкий «Углеродные нанотрубки и их эмиссионные свойства» УФН 172 401–438 (2002)
  13. М.Ю. Каган, В.А. Мицкан, М.М. Коровушкин «Аномальная сверхпроводимость и сверхтекучесть в фермионных системах с отталкиванием» УФН 185 785–815 (2015)
  14. А.Л. Ивановский «Магнитные эффекты в немагнитных sp-материалах, индуцированные sp-примесями и дефектами» УФН 177 1083 (2007)
  15. А.В. Елецкий «Сорбционные свойства углеродных наноструктур» УФН 174 1191–1231 (2004)
  16. А.В. Елецкий «Механические свойства углеродных наноструктур и материалов на их основе» УФН 177 233–274 (2007)
  17. Ю.Е. Лозовик, А.М. Попов «Образование и рост углеродных наноструктур — фуллеренов, наночастиц, нанотрубок и конусов» УФН 167 751–774 (1997)
  18. Г.Н. Макаров «Лазерная ИК-фрагментация молекулярных кластеров: роль каналов ввода и релаксации энергии, влияние окружения, динамика фрагментации» УФН 187 241–276 (2017)
  19. А.В. Елецкий «Холодные полевые эмиттеры на основе углеродных нанотрубок» УФН 180 897–930 (2010)
  20. И.В. Антонова «Стрейнтроника двумерных неорганических материалов для электронных и оптических приложений» УФН 192 609–641 (2022)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение