Полупроводниковые наноструктуры на основе графена

П.Б. Сорокин^а, б, Л.А. Чернозатонский^б
^аТехнологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, ул. Центральная 7а, Троицк, Москва, 142190, Российская Федерация
^бИнститут биохимической физики им. Н.М. Эмануэля РАН, ул. Косыгина 4, Москва, 119334, Российская Федерация

Обзор посвящён современному состоянию исследований в одной из актуальных областей физики и химии графена — изучению его производных, имеющих полупроводниковую проводимость. Подробно рассмотрены электронные свойства таких материалов, как графеновая лента, частично гидрированный и фторированный графен, графан, фторографен, диаман.

Текст pdf (4,6 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0183.201302a.0113

PACS: 73.22.−f, 73.22.Pr, 73.61.Ey, 81.05.ue (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0183.201302a.0113
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2013/2/a/
Web of Science

000319332300001
Scopus

2-s2.0-84878248305
ADS NASA

2013PhyU...56..105S
Цитата: Сорокин П Б, Чернозатонский Л А "Полупроводниковые наноструктуры на основе графена" УФН 183 113–132 (2013)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Полупроводниковые наноструктуры на основе графена
A1 Сорокин,П.Б.
A1 Чернозатонский,Л.А.
PB Успехи физических наук
PY 2013
FD 10 Feb, 2013
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 183
IS 2
SP 113-132
DO 10.3367/UFNr.0183.201302a.0113
LK https://ufn.ru/ru/articles/2013/2/a/

Поступила: 30 января 2012, одобрена в печать: 17 февраля 2012

English citation: Sorokin P B, Chernozatonskii L A “Graphene-based semiconductor nanostructures” Phys. Usp. 56 105–122 (2013); DOI: 10.3367/UFNe.0183.201302a.0113