Выпуски

 / 

2013

 / 

Февраль

  

Обзоры актуальных проблем


Полупроводниковые наноструктуры на основе графена

 а, б,  б
а Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, ул. Центральная 7а, Троицк, Москва, 142190, Российская Федерация
б Институт биохимической физики им. Н.М. Эмануэля РАН, ул. Косыгина 4, Москва, 119334, Российская Федерация

Обзор посвящён современному состоянию исследований в одной из актуальных областей физики и химии графена — изучению его производных, имеющих полупроводниковую проводимость. Подробно рассмотрены электронные свойства таких материалов, как графеновая лента, частично гидрированный и фторированный графен, графан, фторографен, диаман.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 73.22.−f, 73.22.Pr, 73.61.Ey, 81.05.ue (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0183.201302a.0113
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2013/2/a/
Цитата: Сорокин П Б, Чернозатонский Л А "Полупроводниковые наноструктуры на основе графена" УФН 183 113–132 (2013)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Полупроводниковые наноструктуры на основе графена
A1 Сорокин,П.Б.
A1 Чернозатонский,Л.А.
PB Успехи физических наук
PY 2013
FD 10 Feb, 2013
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 183
IS 2
SP 113-132
DO 10.3367/UFNr.0183.201302a.0113
LK https://ufn.ru/ru/articles/2013/2/a/

Поступила: 30 января 2012, 17 февраля 2012

English citation: Sorokin P B, Chernozatonskii L A “Graphene-based semiconductor nanostructuresPhys. Usp. 56 105–122 (2013); DOI: 10.3367/UFNe.0183.201302a.0113

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение