Сегнетоэлектрические нанокристаллы и их переключение

В.М. Фридкин^а, Р.В. Гайнутдинов^а, С. Дюшарм^б
^аФедеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" РАН, Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН, Ленинский просп. 59, Москва, 119333, Российская Федерация
^бDepartment of Physics and Astronomy, Behlen Laboratory of Physics, Center for Materials Research and Analysis, University of Nebraska-Linkoln, Linkoln, NE, USA

Поведение наноразмерных сегнетоэлектриков привлекло к себе большое внимание из-за возросшего интереса к фундаментальным свойствам и природе наноразмерных, спонтанно поляризованных сегнетоэлектрических структур и перспектив их практического применения в качестве электромеханических датчиков, инфракрасных фоточувствительных сред и элементов памяти. В последние годы отмечается повышенное внимание исследователей к выращиванию и изучению сегнетоэлектрических нанокристаллов. Несмотря на ограниченное количество публикаций, мы надеемся, что этот обзор окажется своевременным и полезным.

Текст pdf (893 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0180.201002f.0209

PACS: 77.55.−g, 77.80.−e, 77.84.Cg (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0180.201002f.0209
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2010/2/f/
Web of Science

000279117000005
Scopus

2-s2.0-77954788033
ADS NASA

2010PhyU...53..199F
Цитата: Фридкин В М, Гайнутдинов Р В, Дюшарм С "Сегнетоэлектрические нанокристаллы и их переключение" УФН 180 209–217 (2010)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Ferroelectric nanocrystals and their switching
A1 Fridkin,V.M.
A1 Gaynutdinov,R.V.
A1 Ducharme,S.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 2010
FD 10 Feb, 2010
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 180
IS 2
SP 209-217
DO 10.3367/UFNr.0180.201002f.0209
LK https://ufn.ru/ru/articles/2010/2/f/

English citation: Fridkin V M, Gaynutdinov R V, Ducharme S “Ferroelectric nanocrystals and their switching” Phys. Usp. 53 199–207 (2010); DOI: 10.3367/UFNe.0180.201002f.0209