Сегнетоэлектрические нанокристаллы и их переключение

В.М. Фридкин^а, Р.В. Гайнутдинов^а, С. Дюшарм^б
^аФедеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" РАН, Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН, Ленинский просп. 59, Москва, 119333, Российская Федерация
^бDepartment of Physics and Astronomy, Behlen Laboratory of Physics, Center for Materials Research and Analysis, University of Nebraska-Linkoln, Linkoln, NE, USA

Поведение наноразмерных сегнетоэлектриков привлекло к себе большое внимание из-за возросшего интереса к фундаментальным свойствам и природе наноразмерных, спонтанно поляризованных сегнетоэлектрических структур и перспектив их практического применения в качестве электромеханических датчиков, инфракрасных фоточувствительных сред и элементов памяти. В последние годы отмечается повышенное внимание исследователей к выращиванию и изучению сегнетоэлектрических нанокристаллов. Несмотря на ограниченное количество публикаций, мы надеемся, что этот обзор окажется своевременным и полезным.

Текст pdf (893 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0180.201002f.0209

PACS: 77.55.−g, 77.80.−e, 77.84.Cg (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0180.201002f.0209
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2010/2/f/
Web of Science

000279117000005
Scopus

2-s2.0-77954788033
ADS NASA

2010PhyU...53..199F
Цитата: Фридкин В М, Гайнутдинов Р В, Дюшарм С "Сегнетоэлектрические нанокристаллы и их переключение" УФН 180 209–217 (2010)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Сегнетоэлектрические нанокристаллы и их переключение
AU Фридкин, В. М.
AU Гайнутдинов, Р. В.
AU Дюшарм, С.
PB Успехи физических наук
PY 2010
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 180
IS 2
SP 209-217
UR https://ufn.ru/ru/articles/2010/2/f/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0180.201002f.0209

English citation: Fridkin V M, Gaynutdinov R V, Ducharme S “Ferroelectric nanocrystals and their switching” Phys. Usp. 53 199–207 (2010); DOI: 10.3367/UFNe.0180.201002f.0209