Выпуски

 / 

2010

 / 

Февраль

  

Методические заметки


Сегнетоэлектрические нанокристаллы и их переключение

 а,  а,  б
а Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН, Ленинский просп. 59, Москва, 119333, Российская Федерация
б Department of Physics and Astronomy, Behlen Laboratory of Physics, Center for Materials Research and Analysis, University of Nebraska-Linkoln, Linkoln, NE, USA

Поведение наноразмерных сегнетоэлектриков привлекло к себе большое внимание из-за возросшего интереса к фундаментальным свойствам и природе наноразмерных, спонтанно поляризованных сегнетоэлектрических структур и перспектив их практического применения в качестве электромеханических датчиков, инфракрасных фоточувствительных сред и элементов памяти. В последние годы отмечается повышенное внимание исследователей к выращиванию и изучению сегнетоэлектрических нанокристаллов. Несмотря на ограниченное количество публикаций, мы надеемся, что этот обзор окажется своевременным и полезным.

Текст: pdf (893 Кб)
PACS: 77.55.−g, 77.80.−e, 77.84.Cg (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0180.201002f.0209
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2010/2/f/
Цитата: Фридкин В М, Гайнутдинов Р В, Дюшарм С "Сегнетоэлектрические нанокристаллы и их переключение" УФН 180 209–217 (2010)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Fridkin V M, Gaynutdinov R V, Ducharme S “Ferroelectric nanocrystals and their switchingPhys. Usp. 53 199–207 (2010); DOI: 10.3367/UFNe.0180.201002f.0209

© Успехи физических наук, 1918–2017
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение