Выпуски

 / 

2007

 / 

Ноябрь

  

Из текущей литературы


Колоссальное электросопротивление и электронная неустойчивость в структурах на основе сильнокоррелированных электронных систем


Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Представлен обзор исследований эффектов электронной неустойчивости (ЭЭН) в структурах на основе сильнокоррелированных электронных систем (СКЭС), таких как высокотемпературные сверхпроводники (ВТСП) и легированные манганиты — соединения с колоссальным магнетосопротивлением (КМС). Эффект проявляется в изменении на несколько порядков резистивного состояния интерфейса нормальный металл-ВТСП или нормальный металл-легированный манганит под действием приложенного электрического поля в условии значительной токовой инжекции. Рассматриваются результаты исследования гетероконтактов на основе ВТСП и легированных манганитов. Проводится сравнение ЭЭН в гетероструктурах с эффектом влияния электрического поля на свойства СКЭС в тонких пленках и устройствах с затворами. Анализируются общие черты и различие в физике этих явлений.

Текст pdf (325 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2007v050n11ABEH006396
PACS: 71.10.−w, 71.27.+a, 71.30.+h, 73.40.−c, 74.62.Dh (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0177.200711d.1231
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2007/11/d/
000253900700004
2-s2.0-40449123670
2007PhyU...50.1171T
Цитата: Тулина Н А "Колоссальное электросопротивление и электронная неустойчивость в структурах на основе сильнокоррелированных электронных систем" УФН 177 1231–1239 (2007)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Tulina N A “Colossal electroresistance and electron instability in strongly correlated electron systemsPhys. Usp. 50 1171–1178 (2007); DOI: 10.1070/PU2007v050n11ABEH006396

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение