Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов

Д.Р. Хохлов
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

12 апреля 2006 г. в конференц-зале Физического института им. П.Н. Лебедева РАН состоялась Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук. На сессии были заслушаны доклады:
1. Хохлов Д.Р. (Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова). Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов.
2. Митин А.В. (Казанский государственный технологический университет). Модуляционная гамма-резонансная спектроскопия.
3. Курочкин В.Е. (Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург). Методы и приборы иммунного экспресс-анализа. Новый подход к решению проблемы.
4. Лукин В.П. (Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск). Адаптивное формирование оптических изображений в атсмосфере.
Публикуется краткое содержание докладов.

Текст pdf (449 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2006v049n09ABEH006094

PACS: 01.10.Fv, 07.57.−c, 78.20.−e, 85.30.−z (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0176.200609g.0983
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2006/9/g/
Web of Science

000243785700005
Scopus

2-s2.0-33846480430
ADS NASA

2006PhyU...49..955K
Цитата: Хохлов Д Р "Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов" УФН 176 983 (2006)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Khokhlov D R “High-sensitivity terahertz radiation detectors based on a new class of semiconductor materials” Phys. Usp. 49 955–959 (2006); DOI: 10.1070/PU2006v049n09ABEH006094

Список литературы (22) ↓ Похожие статьи (20)

Haller E E, Hueschen M R, Richards P L Appl. Phys. Lett. 34 495 (1979)
Lambrecht A et al. Semicond. Sci. Technol. 8 S334 (1993)
Zogg H et al. Semicond. Sci. Technol. 6 C36 (1991)
Волков Б А, Рябова Л И, Хохлов Д Р УФН 172 875 (2002); Volkov B A, Ryabova L I, Khokhlov D R Phys. Usp. 45 819 (2002)
Каган Ю, Кикоин K А Письма в ЖЭТФ 31 367 (1980)
Литвинов В И, Товстюк К Д ФТТ 24 896 (1982)
Панкратов О А, Волков Б А ЖЭТФ 88 280 (1985)
Pankratov O A, Volkov B A Sov. Sci. Reviews A 9 355 (1987)
Засавицкий И И и др. Письма в ЖЭТФ 42 3 (1985)
Засавицкий И И и др. ФТП 20 214 (1986)
Винчаков В Н и др. Письма в ЖЭТФ 43 384 (1986)
Акимов Б А и др. ФТП 23 668 (1989)
Белогорохов А И и др. Письма в ЖЭТФ 72 178 (2000)
Волков Б А, Ручайский О М Письма в ЖЭТФ 62 205 (1995)
Базь А И, Зельдович Я Б, Переломов А М Рассеяние, реакции и распады в нерелятивистской квантовой механике 2-е изд. (М.: Наука, 1971), Гл. 1, пп. 3, 4
Климов А Э, Шумский В Н Приклад. физ. (3) 74 (2004)
Кожанов А Е и др. ФТП 40 1047 (2006)
Кристовский К Г и др. ФТТ 46 123 (2004)
Akimov B A, Khokhlov D R Semicond. Sci. Technol. 8 S349 (1993)
Chesnokov S N et al. Infrared Phys. Technol. 35 23 (1994)
Akimov B A et al. Solid State Commun. 66 811 (1988)
Скипетров Е П, Некрасова А Н, Хорош А Г ФТП 28 815 (1994)