Выпуски

 / 

2006

 / 

Сентябрь

  

Конференции и симпозиумы


Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов


Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

12 апреля 2006 г. в конференц-зале Физического института им. П.Н. Лебедева РАН состоялась Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук. На сессии были заслушаны доклады:
1. Хохлов Д.Р. (Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова). Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов.
2. Митин А.В. (Казанский государственный технологический университет). Модуляционная гамма-резонансная спектроскопия.
3. Курочкин В.Е. (Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург). Методы и приборы иммунного экспресс-анализа. Новый подход к решению проблемы.
4. Лукин В.П. (Институт оптики атмосферы СО РАН, Томск). Адаптивное формирование оптических изображений в атсмосфере.
Публикуется краткое содержание докладов.

Текст pdf (449 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2006v049n09ABEH006094
PACS: 01.10.Fv, 07.57.−c, 78.20.−e, 85.30.−z (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0176.200609g.0983
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2006/9/g/
000243785700005
2-s2.0-33846480430
2006PhyU...49..955K
Цитата: Хохлов Д Р "Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов" УФН 176 983 (2006)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов
A1 Хохлов,Д.Р.
PB Успехи физических наук
PY 2006
FD 10 Sep, 2006
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 176
IS 9
SP 983
DO 10.3367/UFNr.0176.200609g.0983
LK https://ufn.ru/ru/articles/2006/9/g/

English citation: Khokhlov D R “High-sensitivity terahertz radiation detectors based on a new class of semiconductor materialsPhys. Usp. 49 955–959 (2006); DOI: 10.1070/PU2006v049n09ABEH006094

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение