Приведен краткий обзор литературы, посвященной теории фотоиндуцированных и тепловых шумов в полупроводниковых p – n переходах. Рассчитаны координатные и частотные зависимости фотоиндуцированных шумов в p⁺ – n переходе при локальном облучении его n-области. В отличие от вакуумных электронных ламп, в которых физические источники шумов токораспределения не раскрыты, в p⁺ – n переходах шумы токораспределения вызываются флуктуациями локальных темпов рекомбинации и диффузии дырок в n-области. Белые спектры тепловых и фотоиндуцированных шумов на высоких частотах возникают при линейном возрастании концентрации дырок в направлении от области пространственного заряда и обусловлены взаимной компенсацией частотных зависимостей диффузионных шумовых токов и эффективной длины собирания шумов из n-области.

PACS: 72.70.+m, 85.30.−z, 85.60.Dw (все) DOI: 10.3367/UFNr.0176.200612e.1321 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2006/12/e/ 000245748100005 2-s2.0-34247270816 2006PhyU...49.1289T Цитата: Таубкин И И "Фотоиндуцированные и тепловые шумы в полупроводниковых p – n переходах" УФН 176 1321–1339 (2006) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks English citation: Taubkin I I “Photoinduced and thermal noise in semiconductor p-n junctions” Phys. Usp. 49 1289–1306 (2006); DOI: 10.1070/PU2006v049n12ABEH006134