Явления абсолютной отрицательной проводимости в неравновесных трехмерных полупроводниках

27 октября 2004 г. в конференц-зале Физического института им. П.Н. Лебедева РАН состоялась Объединенная научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук и Объединенного физического общества Российской Федерации «Отрицательная абсолютная проводимость». На сессии были заслушаны доклады:

Елесин В.Ф. (Московский инженерно-физический институт (государственный университет), Москва). Явления абсолютной отрицательной проводимости в неравновесных трехмерных полупроводниках.
Гантмахер В.Ф., Зверев В.Н. (Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Московская обл.). Магнитопримесные резонансы как индикатор инверсной функции распределения фотоэлектронов в полупроводниках.
Рыжий В.И. (University of Aizu, Aizu-Wakamatsu, Japan). Абсолютная отрицательная проводимость, индуцированная микроволновым излучением, и состояния с нулевым сопротивлением в двумерных электронных системах: история и современное состояние.
Дорожкин С.И. (Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Московская обл.). Фотоотклик в магнетопроводимости высокосовершенных двумерных электронных систем на облучение электромагнитными волнами миллиметрового диапазона.

Публикуются краткие содержания докладов.

Текст pdf (204 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2005v048n02ABEH002108

PACS: 72.20.−i, 72.20.My, 72.40.+w (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200502i.0197
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/2/i/
ADS NASA

2005PhyU...48..183E
Цитата: Елесин В Ф "Явления абсолютной отрицательной проводимости в неравновесных трехмерных полупроводниках" УФН 175 197 (2005)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Elesin V F “Absolute negative conductivity phenomena in non-equilibrium three-dimensional semiconductors” Phys. Usp. 48 183–187 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n02ABEH002108

Список литературы (22) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (13) Похожие статьи (20)

Mani R G et al. Nature 420 646 (2002); Zudov M A et al. Phys. Rev. Lett. 90 046807 (2003)
Fitzgerald R Phys. Today 56 24 (2003)
Durst A C, Girvin S H Science 304 1762 (2004)
Елесин В Ф, Маныкин Э А Письма в ЖЭТФ 3 26 (1966)
Елесин В Ф Письма в ЖЭТФ 7 229 (1968)
Рыжий В Н Письма в ЖЭТФ 7 28 (1968); Рыжий В Н ФТТ 11 2577 (1969)
Елесин В Ф, Маныкин Э А ЖЭТФ 50 1381 (1966); Елесин В Ф, Маныкин Э А ФТТ 8 2945 (1966); Елесин В Ф, Маныкин Э А ФТТ 8 3621 (1966)
Елесин В Ф ЖЭТФ 55 792 (1968)
Александров А С и др. Письма в ЖЭТФ 12 57 (1970)
Александров А С и др. ЖЭТФ 64 231 (1973)
Александров А С и др. ФТТ 19 (6) 231 (1977)
Гантмахер В Ф, Зверев В Н ЖЭТФ 71 2314 (1976); Гантмахер В Ф, Зверев В Н Письма в ЖЭТФ 25 44 (1977)
Krömer H Phys. Rev. 109 1856 (1958)
Krömer H Proc. IRE 47 231 (1959)
Каган Ю ЖЭТФ 38 1854 (1960)
Habegger M A, Fan H Y Phys. Rev. Lett. 12 99 (1964)
Наследов Д Н, Попов Ю Г, Сметанникова Ю С ФТТ 6 3728 (1964)
Рывкин С М Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М.: Физматгиз, 1963)
Келдыш Л В Дисс. ... докт. физ.-мат. наук (М.: ФИАН, 1965)
Захаров А Л ЖЭТФ 38 665 (1960)
Александров А С, Елесин В Ф ЖЭТФ 58 1067 (1970)
Adams E N, HolsteinT D J. Phys. Chem. Solids 10 254 (1959)