Выпуски

 / 

2005

 / 

Февраль

  

Конференции и симпозиумы


Магнитопримесные резонансы как индикатор инверсной функции распределения фотоэлектронов в полупроводниках

,
Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Московская обл., Российская Федерация

27 октября 2004 г. в конференц-зале Физического института им. П.Н. Лебедева РАН состоялась Объединенная научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук и Объединенного физического общества Российской Федерации «Отрицательная абсолютная проводимость». На сессии были заслушаны доклады:

  1. Елесин В.Ф. (Московский инженерно-физический институт (государственный университет), Москва). Явления абсолютной отрицательной проводимости в неравновесных трехмерных полупроводниках.
  2. Гантмахер В.Ф., Зверев В.Н. (Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Московская обл.). Магнитопримесные резонансы как индикатор инверсной функции распределения фотоэлектронов в полупроводниках.
  3. Рыжий В.И. (University of Aizu, Aizu-Wakamatsu, Japan). Абсолютная отрицательная проводимость, индуцированная микроволновым излучением, и состояния с нулевым сопротивлением в двумерных электронных системах: история и современное состояние.
  4. Дорожкин С.И. (Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Московская обл.). Фотоотклик в магнетопроводимости высокосовершенных двумерных электронных систем на облучение электромагнитными волнами миллиметрового диапазона.
Публикуются краткие содержания докладов.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 72.20.−i, 72.20.My, 72.40.+w (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200502j.0201
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/2/j/
Цитата: Гантмахер В Ф, Зверев В Н "Магнитопримесные резонансы как индикатор инверсной функции распределения фотоэлектронов в полупроводниках" УФН 175 201–205 (2005)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gantmakher V F, Zverev V N “Magnetoimpurity resonances as indicators of an inverse photoelectron distribution function in semiconductorsPhys. Usp. 48 187–191 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n02ABEH002395

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение