Выпуски

 / 

2004

 / 

Октябрь

  

Конференции и симпозиумы


Электронные корреляционные явления в полупроводниковых структурах низкой размерности и наноструктурах


Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация
Текст pdf (311 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2004v047n10ABEH001929
PACS: 71.35.−y, 71.36.+c, 73.43.−f, 73.63.−b (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0174.200410f.1109
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2004/10/f/
000226730200005
2004PhyU...47.1037T
Цитата: Тимофеев В Б "Электронные корреляционные явления в полупроводниковых структурах низкой размерности и наноструктурах" УФН 174 1109–1116 (2004)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Timofeev V B “Electron correlation phenomena in semiconductor low-dimension structures and nanostructuresPhys. Usp. 47 1037–1044 (2004); DOI: 10.1070/PU2004v047n10ABEH001929

Список литературы (20) Статьи, ссылающиеся на эту (1) Похожие статьи (20) ↓

  1. В.Б. Тимофеев «Коллективные экситонные явления в пространственно разделенных электрон-дырочных слоях в полупроводниках» УФН 175 315 (2005)
  2. А.В. Горбунов, В.Б. Тимофеев «Бозе-конденсация межъямных экситонов и пространственная структура люминесценции в латеральных ловушках» УФН 176 651 (2006)
  3. В.Б. Тимофеев, А.В. Ларионов и др. «Междуямная излучательная рекомбинация двумерного электронного газа в двойных квантовых ямах с напряжением смещения» УФН 168 117–120 (1998)
  4. В.Д. Кулаковский, Д.Н. Крижановский и др. «Поляритон-поляритонное рассеяние и неравновесная конденсация экситонных поляритонов в полупроводниковых микрорезонаторах» УФН 173 995 (2003)
  5. В.Д. Кулаковский, Д.Н. Крижановский и др. «Стимулированное поляритон-поляритонное рассеяние в полупроводниковых микрорезонаторах» УФН 175 334–340 (2005)
  6. Ю.Е. Лозовик «Сильные корреляции и новые фазы в системе экситонов и поляритонов, поляритонный лазер» УФН 179 309–313 (2009)
  7. Л.С. Левитов, А.В. Шитов, Б.И. Гальперин «Эффективное действие и функция Грина для сжимаемого холловского краевого состояния» УФН 168 151–154 (1998)
  8. З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий и др. «Мезоскопические флуктуации проводимости кулоновского типа в двумерном электронном газе вблизи фактора заполнения ν=1/2» УФН 168 175–178 (1998)
  9. В.М. Агранович «К вопросу о роли дефектов в процессе экситонной люминесценции молекулярных кристаллов» УФН 71 141–149 (1960)
  10. А.И. Романенко, А.В. Окотруб и др. «Неоднородные электронные состояния в углеродных наноструктурах различной размерности и кривизны образующих их графеновых слоев» УФН 175 1000–1004 (2005)
  11. Ю.Е. Лозовик «Управление бозе-конденсатом экситонов и фононный лазер» УФН 171 1373–1376 (2001)
  12. И.В. Кукушкин, В.Б. Тимофеев «Магнитооптика двумерных электронов в условиях целочисленного и дробного квантового эффекта Холла» УФН 156 177–178 (1988)
  13. В.Б. Тимофеев, Е.Ф. Шека «VI Всесоюзный семинар «Экситоны в кристаллах»» УФН 104 515–517 (1971)
  14. В.В. Белов, С.Ю. Доброхотов и др. «Обобщенный адиабатический принцип для описания динамики электрона в искривленных наноструктурах» УФН 175 1004–1010 (2005)
  15. С.В. Морозов, К.С. Новоселов, А.К. Гейм «Электронный транспорт в графене» УФН 178 776–780 (2008)
  16. Н.А. Гиппиус, В.Д. Кулаковский, С.Г. Тиходеев «Влияние перераспределения электрического поля на электронные и оптические свойства наноструктур» УФН 167 558–562 (1997)
  17. И.В. Кукушкин, В.Б. Тимофеев «Магнитооптика сильно скоррелированных низкоразмерных электронных систем» УФН 163 (1) 105–108 (1993)
  18. Е.Л. Ивченко «Спиновая физика в полупроводниковых наносистемах» УФН 182 869–876 (2012)
  19. Ю.Е. Лозовик, С.П. Меркулова, А.А. Соколик «Коллективные электронные явления в графене» УФН 178 757–776 (2008)
  20. Н.А. Гиппиус, С.Г. Тиходеев и др. «Жесткий режим возбуждения поляритон-поляритонного рассеяния в полупроводниковых микрорезонаторах» УФН 175 327–334 (2005)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение