Теллурид кадмия-ртути и новое покoление приборов инфракрасной фотоэлектроники

В.П. Пономаренко
Государственное унитарное предприятие «НПО ’Орион» Государственный научный центр Российской Федерации (ГНЦ РФ ФГУП НПО Орион), шоссе Энтузиастов 46/2, Москва, 111123, Российская Федерация

Описаны основные результаты и этапы создания в 1969-2002 гг. полупроводниковых твердых растворов теллуридов кадмия-ртути (монокристаллов и эпитаксиальных слоев), а также фотоприемников инфракрасного диапазона на их основе (фоторезисторов и фотодиодов, в том числе матричных).

Текст pdf (708 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2003v046n06ABEH001372

PACS: 01.65.+g, 07.57.Kp, 85.60.Gz (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200306c.0649
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/6/c/
Web of Science

000185710500003
Цитата: Пономаренко В П "Теллурид кадмия-ртути и новое покoление приборов инфракрасной фотоэлектроники" УФН 173 649–665 (2003)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Cadmium mercury telluride and the new generation of photoelectronic devices
A1 Ponomarenko,V.P.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 2003
FD 10 Jun, 2003
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 173
IS 6
SP 649-665
DO 10.3367/UFNr.0173.200306c.0649
LK https://ufn.ru/ru/articles/2003/6/c/

English citation: Ponomarenko V P “Cadmium mercury telluride and the new generation of photoelectronic devices” Phys. Usp. 46 629–644 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n06ABEH001372