Выпуски

 / 

2003

 / 

Июнь

  

Приборы и методы исследований


Теллурид кадмия-ртути и новое покoление приборов инфракрасной фотоэлектроники


Государственное унитарное предприятие «НПО ’Орион» Государственный научный центр Российской Федерации (ГНЦ РФ ФГУП НПО Орион), шоссе Энтузиастов 46/2, Москва, 111123, Российская Федерация

Описаны основные результаты и этапы создания в 1969-2002 гг. полупроводниковых твердых растворов теллуридов кадмия-ртути (монокристаллов и эпитаксиальных слоев), а также фотоприемников инфракрасного диапазона на их основе (фоторезисторов и фотодиодов, в том числе матричных).

Текст pdf (708 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2003v046n06ABEH001372
PACS: 01.65.+g, 07.57.Kp, 85.60.Gz (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200306c.0649
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/6/c/
000185710500003
Цитата: Пономаренко В П "Теллурид кадмия-ртути и новое покoление приборов инфракрасной фотоэлектроники" УФН 173 649–665 (2003)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Ponomarenko V P “Cadmium mercury telluride and the new generation of photoelectronic devicesPhys. Usp. 46 629–644 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n06ABEH001372

Список литературы (57) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (30) Похожие статьи (10)

  1. Бовина Л А, Стафеев В И в сб. Физика соединений AIIBVI (Под ред. А Н Георгобиани, М К Шейнкмана) (М.: Наука. Физматлит, 1986) с. 246
  2. Курбатов Л Н Вопросы оборонной техники, Сер. XI (1 - 2) 3 (1998)
  3. Курбатов Л Н Прикладная физика (3) 5 (1999)
  4. Барышев Н С Свойства и применение узкозонных полупроводников (Казань: УНИПРЕСС, 2000)
  5. Kane E O J. Phys. Chem. Solids 1 249 (1957)
  6. Lawson W D et al. J. Phys. Chem. Solids 9 325 (1959)
  7. Шнейдер А Д, Гаврищак И В ФТТ 2 2079 (1960)
  8. Verie C, Ayas J Appl. Phys. Lett. 10 241 (1967)
  9. Родо М Полупроводниковые материалы (М.: Металлургия, 1971)
  10. Бовина Л А, Заитов Ф А, Стафеев В И в сб. Проблемы физики соединений AIIBVI Т. 1 (Ред. А Ю Шилейка) (Вильнюс: Изд-во ВГУ, 1972) с. 165
  11. Бовина Л А, Заитов Ф А, Стафеев В И Изв. АН СССР, Сер. Неорганические материалы 9 (12) 2232 (1973)
  12. Бовина Л А, Заитов Ф А, Стафеев В И d c,/ Тезисы докл. III Всесоюз. симпозиума по полуметаллам и полупроводникам с малой шириной запрещенной зоны (Львов: Изд-во ЛГУ, 1972) с. 32
  13. Бовина Л А и др. в сб. Проблемы физики соединений AIIBVI Т. 2 (Ред. А Ю Шилейка) (Вильнюс: Изд-во ВГУ, 1972) с. 111
  14. Бовина Л А и др. в сб. Тезисы докл. III Всесоюз. симпозиума по полуметаллам и полупроводникам с малой шириной запрещенной зоны (Львов: Изд-во ЛГУ, 1972) с. 5
  15. Бовина Л А и др. ФТП 7 2301 (1973)
  16. Горелик Л И и др. Прикладная физика (3) 47 (1999)
  17. Гущина В П, Лакеенков В М, Пелевин О В в сб. Труды VII Всесоюз. симпозиума по полуметаллам и полупроводникам с малой шириной запрещенной зоны (Львов: Изд-во ЛГУ, 1986) с. 41
  18. Никитин М С и др. "Фотоприемник" Авт. свид. №1127489 от 01.08.1984 (1984)
  19. Бовина Л А, Никитин М С в сб. Труды V Всесоюз. симпозиума по полуметаллам и полупроводникам с малой шириной запрещенной зоны (Львов: Изд-во ЛГУ, 1980) с. 129
  20. Пономаренко В П, Стафеев В И Труды МФТИ, Сер. Радиотехника и электроника 7 57 (1974)
  21. Бовина Л А, Савченко Ю Н, Стафеев В И ФТП 9 2084 (1975)
  22. Белоусова О Н и др. Письма в ЖЭТФ 20 370 (1974)
  23. Брандт Н Б и др. ЖЭТФ 66 330 (1974)
  24. Бовина Л А, Пономаренко В П, Стафеев В И ФТП 12 2207 (1978)
  25. Пономаренко В П и др. ФТП 13 441 (1979)
  26. Сагинов Л Д и др. ФТП 16 710 (1982)
  27. Elliott C T in Int. Electron Devices Meeting, San Francisco, CA (1982) p. 132
  28. Трошкин Ю С и др. Прикладная физика (2) 63 (1999)
  29. Бовина Л А и др. ФТП 7 40 (1973)
  30. Головин С В и др. Оптический журн. 63 (6) 56 (1996)
  31. Бенюшис Т И и др. Письма в ЖТФ 15 (6) 59 (1989)
  32. Ovsyuk V N et al. Proc. SPIE 4340 15 (2001)
  33. Шипунов А Г (Ред.) Оружие России Каталог. Спец. вып. Конструкторское бюро приборостроения (Тула: Военный парад, 1997)
  34. Kinch M A et al. Infrared Phys. 20 1 (1980)
  35. Lewis A, Roberts G Int. Electron Devices Meeting, Washington, DC (1981) p. 176
  36. Jamison J A Opt. Eng. 25 688 (1986)
  37. Барба Д Ф (Ред.) Приборы с зарядовой связью (М.: Мир, 1982) с. 40
  38. Бовина Л А и др. в сб. Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках. Материалы Всесоюз. семинара АН СССР по проблеме "Физика и химия полупроводников" (Павлодар: Ромайор, 1987) с. 18
  39. Бочкарев Э П, Лакеенков В М, Пелевин О В в сб. Материалы VII конф. по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, Новосибирск, 9 - 13 июня 1986 Т. 2 (Новосибирск: Изд-во Института неорганической химии АН СССР, 1986) с. 4
  40. Lakeenkov V M et al. J. Cryst. Growth 197 443 (1999)
  41. Болтарь К О и др. в сб. Материалы VIII Всесоюз. симпозиума по полуметаллам и полупроводникам с малой шириной запрещенной зоны (Львов: Изд-во ЛГУ, 1991) с. 14
  42. Бовина Л А, Головин С В в сб. Материалы VIII Всесоюз. симпозиума по полуметаллам и полупроводникам с малой шириной запрещенной зоны (Львов: Изд-во ЛГУ, 1991) с. 9
  43. Акимов В М и др. Прикладная физика (3) 25 (1999)
  44. Акимов В М и др. Прикладная физика (1) 3 (1999)
  45. Koehler T et al. Proc. SPIE 244 153 (1980)
  46. Хряпов В Т и др. Оптический журн. 59 (12) 33 (1992)
  47. Khryapov V T et al. Opt. Eng. 31 678 (1992)
  48. Бовина Л А и др. Прикладная физика (3) 41 (1999)
  49. Бовина ЛА, Стафеев В И Прикладная физика (2) 58 (1999)
  50. Gibin I S Proc. SPIE 2051 460 (1993)
  51. Nemirovsky Y, Margalit S, Kidron I Appl. Phys. Lett 36 466 (1980)
  52. Williams G M, Gertner E R Electron. Lett 16 839 (1980)
  53. Schiebel R A, Dodge J, Gooch R Electron. Lett. 25 530 (1989)
  54. Пономаренко В П, Шиманский И В, Стафеев В И ФТП 22 62 (1988)
  55. Пономаренко В П и др. ФТП 23 189 (1989)
  56. Пономаренко В П, Клочко И В, Петрова Е Г в сб. Материалы VIII Всесоюз. симпозиума по полуметаллам и полупроводникам с малой шириной запрещенной зоны (Львов: Изд-во ЛГУ, 1991) с. 39
  57. Салмин Е А, Пономаренко В П, Стафеев В И ФТП 22 1142 (1988)

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение