Выпуски

 / 

2001

 / 

Август

  

Конференции и симпозиумы


Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками

 а,  а,  а,  а,  а,  а,  а,  а, б, в,  а,  г, в,  д
а Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
б Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, ул. Хлопина 8, корп. 3, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
в Vertically Integrated Systems (VI Systems GmbH), Hardenbergstr 7, Berlin, 10623, Germany
г Air Force Institute of Technology, Department of Electrical and Computer Engineering, 2950 P Street B640, Wright-Patterson AFB, Ohio, 45433, USA
д Institut für Festkörperphysik, Technische Universität, Hardenbergstr. 36, Berlin, 10623, Germany
Текст pdf (190 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2001v044n08ABEH000967
PACS: 42.55.Px, 68.55.+g, 85.30.Vw
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200108d.0855
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/8/d/
Цитата: Устинов В М, Малеев Н А, Жуков А Е, Ковш А Р, Сахаров А В, Воловик Б В, Цацульников А Ф, Леденцов Н Н, Алферов Ж И, Лотт Дж А, Бимберг Д "Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками" УФН 171 855 (2001)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Ustinov V M, Maleev N A, Zhukov A E, Kovsh A R, Sakharov A V, Volovik B V, Tsatsul’nikov A F, Ledentsov N N, Alferov Zh I, Lott J A, Bimberg D “Vertical-cavity emitting devices with quantum-dot structuresPhys. Usp. 44 813–815 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n08ABEH000967

Список литературы (12) Похожие статьи (19) ↓

  1. В.М. Устинов, Н.А. Малеев и др. «Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (31 января 2001 г.)» 171 855–857 (2001)
  2. И.Л. Крестников, В.В. Лундин и др. «Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы» 171 857–858 (2001)
  3. Ж.И. Алферов, Д. Бимберг и др. «Напряженные субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками» 165 224–225 (1995)
  4. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов и др. «Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах» 166 423–428 (1996)
  5. Л.Е. Воробьев, Д.А. Фирсов и др. «Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами» 169 459–464 (1999)
  6. Н.Н. Леденцов, Дж.А. Лотт «Новое поколение вертикально-излучающих лазеров как ключевой элемент компьютерно-коммуникационной эры» 181 884–890 (2011)
  7. Д. Бимберг, И.П. Ипатова и др. «Спонтанное упорядочение полупроводниковых наноструктур» 167 552 (1997)
  8. Д. Бимберг, И.П. Ипатова и др. «Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (29 января 1997 г.)» 167 552 (1997)
  9. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов «Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками» 171 1371–1373 (2001)
  10. З.Ф. Красильник, А.В. Новиков «Оптические свойства напряженных гетероструктур на основе Si1-xGex и Si1-x-yGexCy» 170 338–341 (2000)
  11. B.B. Дюделев, Е.Д. Черотченко и др. «Квантово-каскадные лазеры для спектрального диапазона 8 мкм: технология, дизайн и анализ» 194 98–105 (2024)
  12. Е.Е. Вдовин, Ю.Н. Ханин и др. «Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (30 мая 2001 г.)» 171 1365–1367 (2001)
  13. А.А. Андронов, М.Н. Дроздов и др. «Транспорт в сверхрешетках со слабыми барьерами и проблема терагерцового блоховского генератора» 173 780–783 (2003)
  14. А.А. Белянин, Д. Деппе и др. «Новые схемы полупроводниковых лазеров и освоение терагерцового диапазона» 173 1015–1021 (2003)
  15. Ж.И. Алфёров «Полупроводниковые приборы с гетеропереходами» 108 598–600 (1972)
  16. Ю.М. Попов «История создания инжекционного лазера» 181 102–107 (2011)
  17. О.П. Пчеляков «Молекулярно-лучевая эпитаксия: оборудование, приборы, технология» 170 993–995 (2000)
  18. В.П. Кочерешко, Р.А. Сурис, Д.Г. Яковлев «Эффекты экситон-электронного вращения в структурах с квантовыми ямами, содержащими двумерный электронный газ» 170 335–338 (2000)
  19. Д.Е. Преснов, В.А. Крупенин, С.В. Лотхов «Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlOx/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты» 166 906–907 (1996)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение