Выпуски

 / 

2000

 / 

Сентябрь

  

Конференции и симпозиумы


Молекулярно-лучевая эпитаксия: оборудование, приборы, технология


Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Сессия РАН 10.05.2000

Текст pdf (347 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2000v043n09ABEH000790
PACS: 07.07.−a, 81.15.Hi, 85.30.−z (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0170.200009d.0993
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2000/9/d/
000165206800004
Цитата: Пчеляков О П "Молекулярно-лучевая эпитаксия: оборудование, приборы, технология" УФН 170 993–995 (2000)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS) MedlineRefWorks
Русский English
PT Journal Article
TI Molecular beam epitaxy: equipment, devices, technology
AU Pchelyakov O P
FAU Pchelyakov OP
DP 10 Sep, 2000
TA Usp. Fiz. Nauk
VI 170
IP 9
PG 993-995
RX 10.3367/UFNr.0170.200009d.0993
URL https://ufn.ru/ru/articles/2000/9/d/
SO Usp. Fiz. Nauk 2000 Sep 10;170(9):993-995

English citation: Pchelyakov O P “Molecular beam epitaxy: equipment, devices, technologyPhys. Usp. 43 923–925 (2000); DOI: 10.1070/PU2000v043n09ABEH000790

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение