Туннельная спектроскопия локализованных состояний единичных примесных атомов на поверхности полупроводников

Н.С. Маслова, В.И. Панов, С.В. Савинов
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

Сессия РАН 23.02.2000

Текст pdf (259 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2000v043n05ABEH000756

PACS: 61.16.Ch, 68.35.−p, 78.50.-w
DOI: 10.3367/UFNr.0170.200005j.0575
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2000/5/j/
Web of Science

000165080500009
Цитата: Маслова Н С, Панов В И, Савинов С В "Туннельная спектроскопия локализованных состояний единичных примесных атомов на поверхности полупроводников" УФН 170 575–578 (2000)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Tunneling spectroscopy of the localized states of individual impurity atoms on a semiconductor surface
A1 Maslova,N.S.
A1 Panov,V.I.
A1 Savinov,S.V.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 2000
FD 10 May, 2000
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 170
IS 5
SP 575-578
DO 10.3367/UFNr.0170.200005j.0575
LK https://ufn.ru/ru/articles/2000/5/j/

English citation: Maslova N S, Panov V I, Savinov S V “Tunneling spectroscopy of the localized states of individual impurity atoms on a semiconductor surface” Phys. Usp. 43 531–533 (2000); DOI: 10.1070/PU2000v043n05ABEH000756