Туннельная спектроскопия локализованных состояний единичных примесных атомов на поверхности полупроводников

Н.С. Маслова, В.И. Панов, С.В. Савинов
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

Сессия РАН 23.02.2000

Текст pdf (259 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2000v043n05ABEH000756

PACS: 61.16.Ch, 68.35.−p, 78.50.-w
DOI: 10.3367/UFNr.0170.200005j.0575
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2000/5/j/
Web of Science

000165080500009
Цитата: Маслова Н С, Панов В И, Савинов С В "Туннельная спектроскопия локализованных состояний единичных примесных атомов на поверхности полупроводников" УФН 170 575–578 (2000)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Туннельная спектроскопия локализованных состояний единичных примесных атомов на поверхности полупроводников
A1 Маслова,Н.С.
A1 Панов,В.И.
A1 Савинов,С.В.
PB Успехи физических наук
PY 2000
FD 10 May, 2000
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 170
IS 5
SP 575-578
DO 10.3367/UFNr.0170.200005j.0575
LK https://ufn.ru/ru/articles/2000/5/j/

English citation: Maslova N S, Panov V I, Savinov S V “Tunneling spectroscopy of the localized states of individual impurity atoms on a semiconductor surface” Phys. Usp. 43 531–533 (2000); DOI: 10.1070/PU2000v043n05ABEH000756