Туннельная спектроскопия локализованных состояний единичных примесных атомов на поверхности полупроводников

Н.С. Маслова, В.И. Панов, С.В. Савинов
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

Сессия РАН 23.02.2000

Текст pdf (259 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2000v043n05ABEH000756

PACS: 61.16.Ch, 68.35.−p, 78.50.-w
DOI: 10.3367/UFNr.0170.200005j.0575
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2000/5/j/
Web of Science

000165080500009
Цитата: Маслова Н С, Панов В И, Савинов С В "Туннельная спектроскопия локализованных состояний единичных примесных атомов на поверхности полупроводников" УФН 170 575–578 (2000)

BibTex

BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

%0 Journal Article
%T Туннельная спектроскопия локализованных состояний единичных примесных атомов на поверхности полупроводников
%A Н. С. Маслова
%A В. И. Панов
%A С. В. Савинов
%I Успехи физических наук
%D 2000
%J Усп. физ. наук
%V 170
%N 5
%P 575-578
%U https://ufn.ru/ru/articles/2000/5/j/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0170.200005j.0575

English citation: Maslova N S, Panov V I, Savinov S V “Tunneling spectroscopy of the localized states of individual impurity atoms on a semiconductor surface” Phys. Usp. 43 531–533 (2000); DOI: 10.1070/PU2000v043n05ABEH000756