Туннельная спектроскопия локализованных состояний единичных примесных атомов на поверхности полупроводников

Н.С. Маслова, В.И. Панов, С.В. Савинов
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

Сессия РАН 23.02.2000

Текст pdf (259 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2000v043n05ABEH000756

PACS: 61.16.Ch, 68.35.−p, 78.50.-w
DOI: 10.3367/UFNr.0170.200005j.0575
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2000/5/j/
Web of Science

000165080500009
Цитата: Маслова Н С, Панов В И, Савинов С В "Туннельная спектроскопия локализованных состояний единичных примесных атомов на поверхности полупроводников" УФН 170 575–578 (2000)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Tunneling spectroscopy of the localized states of individual impurity atoms on a semiconductor surface
AU Maslova, N. S.
AU Panov, V. I.
AU Savinov, S. V.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 2000
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 170
IS 5
SP 575-578
UR https://ufn.ru/ru/articles/2000/5/j/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0170.200005j.0575

English citation: Maslova N S, Panov V I, Savinov S V “Tunneling spectroscopy of the localized states of individual impurity atoms on a semiconductor surface” Phys. Usp. 43 531–533 (2000); DOI: 10.1070/PU2000v043n05ABEH000756