Л.М. Блинова,
В.М. Фридкина,
С.П. Палтоа,
А.В. Бунеб,
П.А. Даубенб,
С. Дюшармб аФедеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" РАН, Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН, Ленинский просп. 59, Москва, 119333, Российская Федерация бDepartment of Physics and Astronomy, Behlen Laboratory of Physics, Center for Materials Research and Analysis, University of Nebraska-Linkoln, Linkoln, NE, USA
Изучение размерного эффекта в сегнетоэлектрических кристаллах и пленках было ограничено экспериментальными условиями, так как наименьшие кристаллы имели размер ~200 Å, a самые тонкие пленки — толщину ~200 Å. Техника Ленгмюра-Блоджетт позволила получить сегнетоэлектрические пленки высокого качества из поливинилиден фторида и его сополимеров толщиной 10 Å, с помощью которых впервые удалось изучить размерный эффект на атомарном уровне. Пленки Ленгмюра-Блоджетт оказались двумерными сегнетоэлектриками и не обнаружили так называемой критической толщины. Пленки толщиной в два монослоя (1 нм) обнаруживают сегнетоэлектричество и фазовый переход первого рода из сегнето- в парафазу при температуре, близкой к температуре перехода, наблюдаемой в объемном материале. Эти пленки обладают всеми свойствами сегнетоэлектрика с фазовым переходом первого рода. Они обнаруживают переключение с петлями диэлектрического гистерезиса, скачок спонтанной поляризации при температуре фазового перехода, температурный гистерезис, двойные петли гистерезиса выше температуры фазового перехода, критическую точку на диаграмме поле-температура. Кроме этого, в двумерных пленках найден новый фазовый переход, природа которого обсуждается.
PT Journal Article
TI Двумерные сегнетоэлектрики
AU Блинов Л М
FAU Блинов ЛМ
AU Фридкин В М
FAU Фридкин ВМ
AU Палто С П
FAU Палто СП
AU Буне А В
FAU Буне АВ
AU Даубен П А
FAU Даубен ПА
AU Дюшарм С
FAU Дюшарм С
DP 10 Mar, 2000
TA Усп. физ. наук
VI 170
IP 3
PG 247-262
RX 10.3367/UFNr.0170.200003b.0247
URL https://ufn.ru/ru/articles/2000/3/b/
SO Усп. физ. наук 2000 Mar 10;170(3):247-262