Л.М. Блинова,
В.М. Фридкина,
С.П. Палтоа,
А.В. Бунеб,
П.А. Даубенб,
С. Дюшармб аФедеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" РАН, Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН, Ленинский просп. 59, Москва, 119333, Российская Федерация бDepartment of Physics and Astronomy, Behlen Laboratory of Physics, Center for Materials Research and Analysis, University of Nebraska-Linkoln, Linkoln, NE, USA
Изучение размерного эффекта в сегнетоэлектрических кристаллах и пленках было ограничено экспериментальными условиями, так как наименьшие кристаллы имели размер ~200 Å, a самые тонкие пленки — толщину ~200 Å. Техника Ленгмюра-Блоджетт позволила получить сегнетоэлектрические пленки высокого качества из поливинилиден фторида и его сополимеров толщиной 10 Å, с помощью которых впервые удалось изучить размерный эффект на атомарном уровне. Пленки Ленгмюра-Блоджетт оказались двумерными сегнетоэлектриками и не обнаружили так называемой критической толщины. Пленки толщиной в два монослоя (1 нм) обнаруживают сегнетоэлектричество и фазовый переход первого рода из сегнето- в парафазу при температуре, близкой к температуре перехода, наблюдаемой в объемном материале. Эти пленки обладают всеми свойствами сегнетоэлектрика с фазовым переходом первого рода. Они обнаруживают переключение с петлями диэлектрического гистерезиса, скачок спонтанной поляризации при температуре фазового перехода, температурный гистерезис, двойные петли гистерезиса выше температуры фазового перехода, критическую точку на диаграмме поле-температура. Кроме этого, в двумерных пленках найден новый фазовый переход, природа которого обсуждается.
TY JOUR
TI Двумерные сегнетоэлектрики
AU Блинов, Л. М.
AU Фридкин, В. М.
AU Палто, С. П.
AU Буне, А. В.
AU Даубен, П. А.
AU Дюшарм, С.
PB Успехи физических наук
PY 2000
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 170
IS 3
SP 247-262
UR https://ufn.ru/ru/articles/2000/3/b/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0170.200003b.0247